外延铁基超导薄膜制备方法及制备的外延铁基超导薄膜

专利号：CN200910082471.0

公布日：2010-10-20

申请人：中国科学院物理研究所

一种在Si单晶基片上制备BaTi₂O₅铁电薄膜的方法

专利号：CN201010137524.7

公布日：2010-09-01

申请人：武汉理工大学

电机铁芯用冲片冲切设备及超薄铁基片材的冲切方法、电机铁芯的制造方法

专利号：CN201911196716.2

公布日：2020-02-04

申请人：宁波吉兆电气科技有限公司

一种离子束辅助磁控溅射沉积低温制备氧化铪基铁电薄膜的方法

专利号：CN202110248284.6

公布日：2021-06-25

申请人：中国航空制造技术研究院

网目调宽色域印铁防伪片材

专利号：CN200420019609.5

公布日：2005-02-23

申请人：杭州中粮美特容器有限公司

一种实现无场翻转的重金属/铁磁/重金属异质结及其制备方法

专利号：CN202111297781.1

公布日：2022-06-14

申请人：之江实验室

电机铁芯用冲片冲切设备

专利号：CN201922101220.4

公布日：2020-07-28

申请人：宁波吉兆电气科技有限公司

一种集成微带的薄膜环形器及其制造方法

专利号：CN201410400263.1

公布日：2017-04-12

申请人：杭州电子科技大学

具有高电容可调性的金属铁电半导体可调电容的制备方法

专利号：CN202310439467.5

公布日：2023-06-23

申请人：东南大学

纳米级磷酸铁锂电极材料制备方法

专利号：CN201310559124.9

公布日：2014-02-12

申请人：上海冠旗电子新材料股份有限公司

一种包覆磷酸锂的磷酸铁锂电极及其制备方法

专利号：CN201310077357.5

公布日：2013-06-12

申请人：北京理工大学

一种巨自旋霍尔效应合金薄膜材料及其制备方法和用途

专利号：CN201710321593.5

公布日：2019-02-05

申请人：电子科技大学

脉冲激光法制备β－FeSi₂单晶的方法

专利号：CN200510018200.0

公布日：2005-10-12

申请人：江汉大学;华中科技大学

一种铁磁半导体薄膜材料的制备方法

专利号：CN201710082181.0

公布日：2017-06-13

申请人：苏州思创源博电子科技有限公司

稀磁半导体及其制备方法

专利号：CN201711493907.6

公布日：2020-05-12

申请人：乐清海创智能科技有限公司