用于执行同或运算的计算单元、神经网络及方法

专利号：CN201910148042.2

公布日：2019-09-17

申请人：三星电子株式会社

一种铁电场效应晶体管及其制造方法、存储器

专利号：CN202211124776.5

公布日：2022-12-16

申请人：中国科学院微电子研究所

一种铁电场效应晶体管和半导体器件

专利号：CN202222097505.7

公布日：2022-11-15

申请人：中国科学院微电子研究所

铁电场效应晶体管及其制备方法

专利号：CN201711075067.1

公布日：2020-10-27

申请人：中国科学院微电子研究所

互补光电晶体管像素单元、感算阵列结构及其操作方法

专利号：CN202211353169.6

公布日：2023-02-03

申请人：北京大学

一种铁电电容和铁电场效应晶体管及制备方法

专利号：CN202010315928.4

公布日：2022-03-08

申请人：西安电子科技大学

存储器装置

专利号：CN202211137851.1

公布日：2023-04-18

申请人：三星电子株式会社

一种铁电场效应晶体管存储器及其制备方法

专利号：CN202011124823.7

公布日：2021-01-22

申请人：湘潭大学

铁电场效应晶体管和形成半导体结构的方法

专利号：CN202110035032.5

公布日：2021-06-29

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

单片3D异质集成的多级缓存电路单元结构与制造方法

专利号：CN202211277435.1

公布日：2023-03-07

申请人：中国科学院微电子研究所

一种铁电场效应晶体管模型的建立方法和系统

专利号：CN201710193084.9

公布日：2020-10-27

申请人：湘潭大学

一种基于二维层间滑移铁电半导体的场效应晶体管器件及其制备方法

专利号：CN202210197028.3

公布日：2022-07-05

申请人：电子科技大学

铁电场效应晶体管存储器件结构及制备方法

专利号：CN200710048216.5

公布日：2007-07-18

申请人：电子科技大学

一种绝缘栅型压电场效应晶体管

专利号：CN201910231785.6

公布日：2019-06-21

申请人：电子科技大学

一种具有双栅结构的铁电场效应晶体管及其制备方法

专利号：CN202310108317.6

公布日：2023-05-12

申请人：之江实验室