一种磁电存储器存储单元结构

专利号：CN201720957842.5

公布日：2018-05-22

申请人：江西科技学院

人工反铁磁多层膜结构及包括其的磁随机存储器

专利号：CN202110381200.6

公布日：2022-10-18

申请人：中国科学院物理研究所

磁隧道结以及磁存储器

专利号：CN201610339183.9

公布日：2019-11-19

申请人：华为技术有限公司

电磁感应的输入笔

专利号：CN200910167592.5

公布日：2011-03-30

申请人：太瀚科技股份有限公司

一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法

专利号：CN201010177285.8

公布日：2010-09-15

申请人：西南科技大学

一种铁磁/锰系反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法

专利号：CN02157977.6

公布日：2004-07-07

申请人：中国科学院物理研究所

基于磁性多层膜结构的反常能斯特效应热电器件

专利号：CN202111186841.2

公布日：2023-04-14

申请人：中国科学院物理研究所;国网上海市电力公司;全球能源互联网研究院有限公司

一种抑制电磁噪声的薄膜材料

专利号：CN200910060817.7

公布日：2009-07-22

申请人：华中科技大学

半导体结构及其形成方法

专利号：CN201911215888.X

公布日：2021-06-18

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

磁盘记录系统和双磁电阻读传感器

专利号：CN00129074.6

公布日：2001-08-29

申请人：国际商业机器公司

巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结

专利号：CN201711415711.5

公布日：2020-03-20

申请人：中国科学院物理研究所

巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结

专利号：CN202010108087.X

公布日：2022-02-22

申请人：中国科学院物理研究所

反铁磁材料在应力作用下磁性变化的表征方法、表征器件及其制备方法

专利号：CN201710827591.3

公布日：2019-03-22

申请人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所

一种基于光调控的有机自旋存储单元

专利号：CN201610239469.X

公布日：2018-08-28

申请人：北京航空航天大学

一种利用反铁磁材料产生可控自旋流的方法、异质结构器件和自旋电子学器件

专利号：CN202211402840.1

公布日：2023-02-24

申请人：清华大学