铜铟镓硒太阳能电池吸收层及太阳能电池

专利号：CN201821656699.7

公布日：2019-07-26

申请人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司

铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构

专利号：CN200510088979.3

公布日：2007-02-07

申请人：中国科学院微电子研究所

铟镓氮薄膜的制备方法

专利号：CN202310897320.0

公布日：2023-10-24

申请人：中国科学院半导体研究所

制造包含松弛的氮化铟镓层的衬底的方法

专利号：CN202011501973.5

公布日：2021-06-22

申请人：原子能和替代能源委员会

铜铟镓硒光吸收层的制备方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池

专利号：CN201310433349.X

公布日：2013-12-25

申请人：深圳先进技术研究院;香港中文大学

带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构

专利号：CN200410032559.9

公布日：2005-10-12

申请人：中国科学院半导体研究所

铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层及其制备方法和应用

专利号：CN201310409032.2

公布日：2014-01-15

申请人：华中科技大学

铜铟镓硒太阳能电池吸收层、制备方法及太阳能电池

专利号：CN201811189521.0

公布日：2019-01-25

申请人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司

一种半导体结构及其制造方法

专利号：CN202010762688.2

公布日：2023-10-24

申请人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;中国科学院微电子研究所

Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法

专利号：CN201280022684.4

公布日：2014-01-15

申请人：丰田合成株式会社

一种铟镓氮薄膜的生长方法

专利号：CN201910311640.7

公布日：2019-10-15

申请人：中国科学院半导体研究所

一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法

专利号：CN201110136088.6

公布日：2011-10-12

申请人：中国科学院半导体研究所

半导体激光器及其制备方法

专利号：CN201410797886.7

公布日：2016-07-20

申请人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

变形异质接面双极性晶体管

专利号：CN00124312.8

公布日：2001-05-23

申请人：稳懋半导体股份有限公司

一种LED外延片及其制备方法

专利号：CN201110433441.7

公布日：2013-06-26

申请人：比亚迪股份有限公司