提高铟砷/镓锑超晶格红外探测器材料截止波长的方法及铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格及其应用

专利号：CN201710563810.1

公布日：2023-06-27

申请人：秦皇岛博硕光电设备股份有限公司

能量屏蔽塑料膜

专利号：CN201180060089.5

公布日：2017-05-31

申请人：米歇尔集团

变形异质接面双极性晶体管

专利号：CN00124312.8

公布日：2001-05-23

申请人：稳懋半导体股份有限公司

铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器及制备方法

专利号：CN201610892160.0

公布日：2018-09-04

申请人：中国科学院半导体研究所

一种高温工作的红外探测器材料及其制备方法

专利号：CN201711089625.X

公布日：2019-11-22

申请人：中国电子科技集团公司第十一研究所

一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点材料及其生长方法

专利号：CN200810113860.0

公布日：2009-12-02

申请人：中国科学院物理研究所

用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法

专利号：CN200510011741.0

公布日：2006-11-22

申请人：中国科学院半导体研究所

低开启电压砷化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计

专利号：CN200310110889.0

公布日：2005-05-18

申请人：四川大学

透射电镜的原位加电砷化铟/锑化镓超晶格半导体样品的制备方法

专利号：CN201710602961.3

公布日：2020-05-12

申请人：复旦大学

双异质结双极晶体管结构

专利号：CN201110123487.9

公布日：2012-11-14

申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构

专利号：CN200510088979.3

公布日：2007-02-07

申请人：中国科学院微电子研究所

带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构

专利号：CN200410032559.9

公布日：2005-10-12

申请人：中国科学院半导体研究所

在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法

专利号：CN200410096744.4

公布日：2006-06-07

申请人：中国科学院半导体研究所

1.3微米高密度量子点结构及其制备方法

专利号：CN200410009992.0

公布日：2006-06-14

申请人：中国科学院半导体研究所

一种高迁移率CMOS集成单元

专利号：CN201210480455.9

公布日：2013-02-13

申请人：中国科学院微电子研究所