光传感器设备及其制备方法

专利号：CN202080095152.8

公布日：2022-09-09

申请人：华为技术有限公司

FDSOI的顶层锗硅层的制作方法

专利号：CN202010458335.3

公布日：2020-08-25

申请人：上海华力集成电路制造有限公司

FDSOI上锗硅鳍体的制作方法

专利号：CN202010350253.7

公布日：2020-08-07

申请人：上海华力集成电路制造有限公司

图形硅衬底-硅锗薄膜复合结构及其制备方法和应用

专利号：CN202011276489.7

公布日：2022-03-18

申请人：中国科学院物理研究所

一种半导体结构及其制备方法

专利号：CN202111448618.0

公布日：2023-06-02

申请人：中国科学院微电子研究所

半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备

专利号：CN202010244614.X

公布日：2020-07-24

申请人：中国科学院微电子研究所

半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置

专利号：CN201610362706.1

公布日：2017-12-05

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

一种FDSOI的锗硅层的制作方法

专利号：CN202111053103.0

公布日：2022-01-14

申请人：上海华力集成电路制造有限公司

一种具有锗硅源漏区的PMOS器件结构及其制作方法

专利号：CN202211042108.8

公布日：2022-11-25

申请人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司

一种半导体器件及其制造方法

专利号：CN201210397928.9

公布日：2014-05-07

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

一种硅锗源/漏结构及其制造方法

专利号：CN201010261580.1

公布日：2012-03-14

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

形成高锗浓度的硅锗应力源的方法及集成电路晶体管结构

专利号：CN201010242785.5

公布日：2011-03-16

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

一种深硅槽中选择性外延锗方法

专利号：CN202110956076.1

公布日：2021-11-16

申请人：杨荣

锗硅源漏结构及其制造方法

专利号：CN202011037590.7

公布日：2021-01-08

申请人：上海华力集成电路制造有限公司

半导体结构的制造方法

专利号：CN202210417435.0

公布日：2022-08-30

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司