钛酸锶钡/铌酸锌铋异质结构材料及其制备方法

专利号：CN200710121834.8

公布日：2009-03-18

申请人：中国科学院物理研究所;西安交通大学

一种具有周期性纳米级微裂纹结构的铌酸铋钙薄膜材料及其制备方法

专利号：CN202211191375.1

公布日：2022-12-23

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

铋锌铌－钛酸锶钡复合介电可调厚膜的制备方法

专利号：CN200610043028.9

公布日：2006-12-13

申请人：西安交通大学

微波介电可调钛酸锶钡/铋锌铌复合薄膜及其制备方法

专利号：CN200610043025.5

公布日：2006-12-13

申请人：西安交通大学

制造具有超薄顶层的层状超点阵材料的方法

专利号：CN02806150.0

公布日：2005-05-25

申请人：塞姆特里克斯公司;精工爱普生株式会社

一种过渡金属氧化物p-n异质结及其制备方法

专利号：CN200810079980.3

公布日：2009-04-29

申请人：河北大学

一种锆酸铋钠锶掺杂铌酸钾钠基压电陶瓷材料及其制备方法

专利号：CN201910373628.9

公布日：2020-11-10

申请人：四川大学

一种锶铋氧-碳酸锶复合光催化剂及其制备方法和催化还原六价铬的应用

专利号：CN201910716291.7

公布日：2022-06-07

申请人：桂林电子科技大学

具有极化兼容缓冲层的金属绝缘体半导体结构

专利号：CN96196432.4

公布日：1998-09-23

申请人：塞姆特里克斯公司;松下电子工业株式会社

长久保持记忆力的低印记铁电材料及其液体前体和制作方法

专利号：CN99812156.8

公布日：2004-06-16

申请人：塞姆特里克斯公司;松下电器产业株式会社

工序被破坏的铁电膜的电压循环恢复

专利号：CN99810093.5

公布日：2001-10-31

申请人：塞姆特里克斯公司;英菲尼昂科技股份公司

铁电体薄膜、金属薄膜或氧化物薄膜、其制造方法和制造装置以及使用薄膜的电子或电气装置

专利号：CN02803907.6

公布日：2004-04-07

申请人：株式会社渡边商行;都田昌之

基于掺铌钛酸锶阻变薄膜的形变应力传感器

专利号：CN201810315148.2

公布日：2020-02-21

申请人：西安电子科技大学

弛豫铁电电容器及其制造方法

专利号：CN202011477095.8

公布日：2021-09-28

申请人：英特尔公司

铋系氧化物超导材料

专利号：CN201611101140.3

公布日：2018-06-12

申请人：山东元盛坤超导材料科技有限公司