阻挡层沉积方法、金凸块的底层金属薄膜及其制备方法

专利号：CN201810426236.X

公布日：2021-07-13

申请人：北京北方华创微电子装备有限公司

用于增强铜和阻挡层之间粘结的自组装单层

专利号：CN200780032492.0

公布日：2009-09-30

申请人：朗姆研究公司

薄膜制备方法

专利号：CN202010047837.7

公布日：2020-06-05

申请人：北京北方华创微电子装备有限公司

一种浮栅的制备方法

专利号：CN201210066527.5

公布日：2012-07-25

申请人：上海华力微电子有限公司

一种金属栅极结构及其制造方法

专利号：CN201811415934.6

公布日：2021-06-15

申请人：上海集成电路研发中心有限公司

一种铜互联用氮化钽扩散阻挡层的制备方法

专利号：CN201010515721.8

公布日：2011-04-06

申请人：哈尔滨工业大学

一种用于制备铟柱的掩模、量子芯片

专利号：CN202221839400.8

公布日：2022-12-06

申请人：合肥本源量子计算科技有限责任公司

一种3D NAND制造方法

专利号：CN201711140453.4

公布日：2020-12-18

申请人：长江存储科技有限责任公司

去除阻挡层的方法

专利号：CN202010519561.8

公布日：2021-12-10

申请人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司

作为金属扩散阻挡层的无定形碳的高选择性沉积

专利号：CN201610290322.3

公布日：2016-11-16

申请人：朗姆研究公司

自对准阻挡层形成方法

专利号：CN201010584316.1

公布日：2012-07-04

申请人：武汉新芯集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

电介质阻挡层膜

专利号：CN200480005515.5

公布日：2006-04-05

申请人：希莫菲克斯公司

一种大尺寸通孔的制作方法

专利号：CN201110054327.3

公布日：2012-04-11

申请人：上海华虹NEC电子有限公司

一种阻挡层及其制备方法

专利号：CN201110033156.6

公布日：2012-08-01

申请人：北京泰龙电子技术有限公司;中国科学院微电子研究所

用于基于电极的器件的原子层沉积工艺的掩蔽方法

专利号：CN201610569727.0

公布日：2017-02-01

申请人：超科技公司