一种隧穿氧化层表征方法、装置、设备及可读存储介质

专利号：CN202211534228.X

公布日：2023-03-28

申请人：正泰新能科技有限公司

隧穿氧化层的制作方法及快闪存储器的制作方法

专利号：CN200710042350.4

公布日：2008-12-24

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

半导体存储器元件

专利号：CN202011221820.5

公布日：2022-05-06

申请人：联华电子股份有限公司

半导体结构及其形成方法、半导体器件

专利号：CN201911320044.1

公布日：2021-06-22

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

一种隧穿氧化层的制造方法和具有该隧穿氧化层的快闪存储器

专利号：CN201410390775.4

公布日：2016-02-17

申请人：上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司

存储器器件中隧穿氧化层形成的方法

专利号：CN200910057151.X

公布日：2010-11-03

申请人：上海华虹NEC电子有限公司

隧穿氧化层钝化接触电池的制备方法以及钝化接触电池

专利号：CN202210575851.3

公布日：2023-09-05

申请人：天合光能股份有限公司

隧穿氧化层的制备方法

专利号：CN201910450579.4

公布日：2019-08-23

申请人：上海华力微电子有限公司

一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法

专利号：CN201610272824.3

公布日：2017-03-08

申请人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所

一种SONOS器件中ONO结构的制造方法

专利号：CN201510547787.8

公布日：2018-10-16

申请人：上海华力微电子有限公司

一种隧穿氧化层钝化接触结构的制备方法

专利号：CN202210824940.7

公布日：2022-10-18

申请人：常州时创能源股份有限公司

一种隧穿氧化层的沉积设备

专利号：CN202222650132.1

公布日：2023-04-18

申请人：一道新能源科技（衢州）有限公司

一种隧穿氧化物钝化接触结构及其制备方法和太阳电池

专利号：CN202210951267.3

公布日：2022-12-16

申请人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所

减少阻障层电阻面积(RA)的产品与磁性装置应用的垂直磁性各向异性(PMA)的保护

专利号：CN201580032651.1

公布日：2020-04-10

申请人：海德威科技公司

隧穿氧化层钝化接触结构及其太阳能电池

专利号：CN202223111982.0

公布日：2023-05-02

申请人：横店集团东磁股份有限公司