非易失性存储门及其动作方法、及非易失性存储门装入型逻辑电路及其动作方法

专利号：CN200980107095.4

公布日：2011-01-26

申请人：罗姆股份有限公司

非易失可编程芯片及存储装置

专利号：CN202111035664.8

公布日：2021-11-26

申请人：西安紫光国芯半导体有限公司

抑制寄生电荷积累的非易失性存储器件及其操作方法

专利号：CN200810177916.9

公布日：2009-05-27

申请人：三星电子株式会社

将数据存储在非易失性高速缓冲存储器中的设备和方法

专利号：CN200510097425.X

公布日：2006-08-23

申请人：三星电子株式会社

非易失性存储装置、非易失性存储系统及存取装置

专利号：CN200880001867.1

公布日：2009-11-11

申请人：松下电器产业株式会社

非易失性存储电路

专利号：CN201980015138.X

公布日：2020-12-01

申请人：索尼半导体解决方案公司

一种容错固态非易失存储设备及多通道容错存储设备

专利号：CN201120102042.8

公布日：2012-01-11

申请人：苏州市易德龙电器有限公司

从非易失性块存储设备至处理设备的健康报告

专利号：CN201080031586.8

公布日：2015-11-25

申请人：微软技术许可有限责任公司

包括不同类型的存储单元的半导体器件

专利号：CN201811541111.8

公布日：2019-08-30

申请人：三星电子株式会社

一种预测非易失性存储介质发生故障的方法及装置

专利号：CN201410822384.5

公布日：2019-02-26

申请人：华为技术有限公司

半导体器件及其操作方法

专利号：CN201710896237.6

公布日：2021-05-07

申请人：爱思开海力士有限公司

一种预测非易失性存储介质发生故障的方法及装置

专利号：CN201910108992.2

公布日：2021-04-20

申请人：华为技术有限公司

多位非易失性随机存取存储器单元

专利号：CN201680066177.9

公布日：2019-09-13

申请人：赛普拉斯半导体公司

写入并同时验证非易失性存储单元的方法

专利号：CN201010179606.8

公布日：2011-11-23

申请人：力旺电子股份有限公司

一种半导体器件

专利号：CN200510082800.3

公布日：2006-04-05

申请人：株式会社瑞萨科技