存储装置、其操作方法及控制电路

专利号：CN202110515845.4

公布日：2022-04-15

申请人：爱思开海力士有限公司

页缓冲器电路及其操作方法

专利号：CN201510031306.8

公布日：2019-09-24

申请人：旺宏电子股份有限公司

用于稳定内部电压的存储器设备及稳定其内部电压的方法

专利号：CN202010200570.0

公布日：2020-10-20

申请人：三星电子株式会社

存储器装置

专利号：CN202211370395.5

公布日：2023-05-12

申请人：三星电子株式会社

在单元之下具有页缓冲器单元的非易失性存储器件

专利号：CN201410584878.4

公布日：2019-09-24

申请人：爱思开海力士有限公司

存储装置以及操作该存储装置的方法

专利号：CN202010348182.7

公布日：2021-02-09

申请人：爱思开海力士有限公司

页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的非易失性存储器装置

专利号：CN202110684480.8

公布日：2022-02-22

申请人：三星电子株式会社

包括页缓冲器的存储器装置

专利号：CN201811523099.8

公布日：2023-05-23

申请人：爱思开海力士有限公司

非易失性存储器装置

专利号：CN202111330921.0

公布日：2022-07-29

申请人：三星电子株式会社

半导体器件及其操作方法

专利号：CN201210191050.3

公布日：2012-12-12

申请人：爱思开海力士有限公司

多级单元存储器

专利号：CN201280074302.2

公布日：2015-02-25

申请人：慧与发展有限责任合伙企业

存储器装置及其操作方法

专利号：CN202010903258.8

公布日：2021-09-07

申请人：爱思开海力士有限公司

存储装置及其操作方法

专利号：CN201810047368.1

公布日：2022-05-03

申请人：爱思开海力士有限公司

半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法

专利号：CN202110609567.9

公布日：2022-04-22

申请人：爱思开海力士有限公司

存储装置和操作存储装置的方法

专利号：CN201610974364.9

公布日：2021-05-04

申请人：三星电子株式会社