动态随机存取存储器电容器及其制备方法

专利号：CN202011349123.8

公布日：2022-05-27

申请人：长鑫存储技术有限公司

半导体元件的制造方法

专利号：CN201811442129.2

公布日：2019-06-07

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司;洪铭辉

具有至少3层高－K介电层的模拟电容器和制造它的方法

专利号：CN200410082530.1

公布日：2005-03-23

申请人：三星电子株式会社

晶体管结构及其制造方法

专利号：CN201910885457.8

公布日：2020-04-03

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

高介电材料

专利号：CN200910261885.X

公布日：2011-07-06

申请人：财团法人工业技术研究院

MOS晶体管及其栅介电层的制作方法

专利号：CN201010275191.4

公布日：2012-03-21

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

浅沟道隔离件中的高k介电衬里

专利号：CN201210011643.7

公布日：2013-02-06

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

形成集成晶片的方法

专利号：CN202010313831.X

公布日：2020-10-30

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

一种介电凝胶基质的制备方法

专利号：CN202210500838.1

公布日：2022-07-15

申请人：弘润清源（北京）科技有限责任公司

一种半导体器件及其制造方法、电子装置

专利号：CN201410220002.1

公布日：2018-10-23

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

一种高介电陶瓷颗粒与金属片复合吸波材料及其制备方法

专利号：CN201210548590.2

公布日：2013-04-03

申请人：清华大学

具高Dk和低Df特性的LCP高频基板及制备方法

专利号：CN201810823245.2

公布日：2020-02-07

申请人：昆山雅森电子材料科技有限公司

具高Dk和低Df特性的LCP高频基板

专利号：CN201821179468.1

公布日：2019-03-29

申请人：昆山雅森电子材料科技有限公司

肿瘤电场治疗系统及其电极片

专利号：CN202123242506.8

公布日：2022-05-17

申请人：杭州海莱新创医疗科技有限公司

介电结构与其制作方法和存储器结构

专利号：CN201611198365.5

公布日：2018-06-29

申请人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司