一种SDB工艺的测试结构

专利号：CN202021810675.X

公布日：2021-07-09

申请人：杭州广立微电子股份有限公司

动态随机存取存储器单元

专利号：CN201110425199.9

公布日：2012-09-19

申请人：南亚科技股份有限公司

垂直场效应晶体管与鞍形鳍式场效应晶体管的集成

专利号：CN201810128834.9

公布日：2022-08-02

申请人：格芯(美国)集成电路科技有限公司

一种鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应模型构建方法

专利号：CN202310856132.3

公布日：2023-10-27

申请人：中国科学院新疆理化技术研究所

设计电路的方法以及静态随机存取存储器器件

专利号：CN202110680897.7

公布日：2021-10-08

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

用于指状结构鳍式场效应晶体管的电性解析版图

专利号：CN202010821446.6

公布日：2022-11-25

申请人：泉芯集成电路制造(济南)有限公司

包括不对称硅化物结构的场效应晶体管及相关器件

专利号：CN201310445019.2

公布日：2014-03-26

申请人：三星电子株式会社

半导体器件、鳍式场效应晶体管及其形成方法

专利号：CN201510293006.7

公布日：2019-07-02

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

具有多个鳍式场效应晶体管的半导体结构

专利号：CN200710166452.7

公布日：2008-12-03

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

鳍式场效应晶体管和制备方法

专利号：CN202080101476.8

公布日：2023-02-03

申请人：华为技术有限公司

鳍式场效应晶体管装置及其制造方法

专利号：CN201410201636.2

公布日：2015-11-25

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

鳍式场效应晶体管存储单元、鳍式场效应晶体管存储单元配置及制造鳍式场效应晶体管存储单元方法

专利号：CN200380109840.1

公布日：2006-03-22

申请人：因芬尼昂技术股份公司

一种鳍式场效应晶体管及其制作方法、电子设备

专利号：CN202010399407.1

公布日：2020-09-25

申请人：中国科学院微电子研究所

鳍式场效应晶体管的形成方法

专利号：CN201410135924.2

公布日：2018-07-10

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

鳍式场效应晶体管的形成方法

专利号：CN201310398715.2

公布日：2017-06-16

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司