半导体元件及其制作方法

专利号：CN201510195898.7

公布日：2016-02-10

申请人：新唐科技股份有限公司

晶闸管和用于制造晶闸管的方法

专利号：CN201711347764.8

公布日：2018-06-26

申请人：赛米控电子股份有限公司

包括半导体本体的二极管

专利号：CN201910455223.X

公布日：2019-12-17

申请人：赛米控电子股份有限公司

包含绝缘体上半导体区和主体区的半导体结构及形成方法

专利号：CN201310566556.2

公布日：2017-08-29

申请人：格罗方德半导体公司

具有半导体本体的晶闸管

专利号：CN201711351368.2

公布日：2022-04-08

申请人：赛米控电子股份有限公司

可用高栅极电压操作的高电压晶体管

专利号：CN201610042535.4

公布日：2020-02-21

申请人：英飞凌科技奥地利有限公司

包括第一和第二半导体材料的半导体器件

专利号：CN201210279823.3

公布日：2013-12-04

申请人：英飞凌科技股份有限公司

具有半导体本体的晶闸管

专利号：CN201811509621.7

公布日：2019-07-23

申请人：赛米控电子股份有限公司

半导体器件

专利号：CN200580000611.5

公布日：2006-08-16

申请人：三垦电气株式会社

半导体器件

专利号：CN201320426298.3

公布日：2014-03-19

申请人：美国博通公司

槽型半导体功率器件

专利号：CN201010610944.2

公布日：2011-06-29

申请人：电子科技大学

混合式垂直功率器件、制备方法及电子设备

专利号：CN202210286889.9

公布日：2022-07-22

申请人：天狼芯半导体（成都）有限公司

固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法和照相机

专利号：CN201110410224.6

公布日：2012-07-04

申请人：佳能株式会社

半导体部件及其制造方法

专利号：CN03824815.8

公布日：2005-11-09

申请人：飞思卡尔半导体公司

半导体装置和用于制造半导体装置的方法

专利号：CN201210549401.3

公布日：2013-07-24

申请人：富士通株式会社