MOS晶体管的伪有源区的结构和制造方法

专利号：CN202210745964.3

公布日：2022-09-27

申请人：上海华力集成电路制造有限公司

一种基于CMOS工艺的TVS器件

专利号：CN201520847782.2

公布日：2016-02-17

申请人：厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司

半导体测试结构和包含其的晶圆

专利号：CN202011536772.9

公布日：2022-07-19

申请人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司

半导体结构及其制作方法、存储器系统

专利号：CN202211586228.4

公布日：2023-06-23

申请人：芯盟科技有限公司

半导体结构及其制作方法、存储器系统

专利号：CN202211586621.3

公布日：2023-06-23

申请人：芯盟科技有限公司

半导体存储装置

专利号：CN202120962589.9

公布日：2021-10-15

申请人：福建省晋华集成电路有限公司

半导体器件及其设计版图

专利号：CN202110545949.X

公布日：2021-08-17

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

一种有源电力滤波装置

专利号：CN201210091179.7

公布日：2012-08-01

申请人：上海市电力公司

用于提高半导体成品率的测试单元

专利号：CN200580051313.9

公布日：2008-09-17

申请人：PDF全解公司

薄膜晶体管及其制备方法、显示器件

专利号：CN201310752923.8

公布日：2014-04-09

申请人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司

一种双有源区激光器芯片及制备方法

专利号：CN202010683005.4

公布日：2020-11-06

申请人：苏州长光华芯光电技术有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司

半导体结构及其制作方法、存储器系统

专利号：CN202211576538.8

公布日：2023-04-07

申请人：芯盟科技有限公司

有源钳位电路

专利号：CN202080009232.7

公布日：2021-08-24

申请人：阿帕尔斯电力股份有限公司

半导体装置

专利号：CN202210577919.1

公布日：2022-10-04

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体存储装置及其形成方法

专利号：CN202110495955.9

公布日：2023-06-06

申请人：福建省晋华集成电路有限公司