形成钝化层的方法、含钝化层的基底及钝化层去除方法

专利号：CN201910371982.8

公布日：2019-11-08

申请人：SPTS科技有限公司

基板上的钝化层组件以及具有该钝化层组件的显示基板

专利号：CN200510108073.3

公布日：2006-04-12

申请人：三星电子株式会社

一种GaN基HEMT器件及其制作方法

专利号：CN201310405073.4

公布日：2014-01-01

申请人：华为技术有限公司

钝化层结构及其形成方法、刻蚀方法

专利号：CN201210113566.6

公布日：2013-10-30

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片

专利号：CN202210092573.6

公布日：2022-05-24

申请人：江西兆驰半导体有限公司

半导体芯片的钝化膜结构及电路板

专利号：CN201620696004.2

公布日：2016-11-30

申请人：北京思众电子科技有限公司

碳化硅光伏器件

专利号：CN202011341184.X

公布日：2022-12-02

申请人：隆基绿能科技股份有限公司

一种复合式钝化膜

专利号：CN202120217286.4

公布日：2021-11-30

申请人：德兴市意发功率半导体有限公司

一种复合式钝化膜及其制作方法

专利号：CN202110104053.8

公布日：2021-09-24

申请人：德兴市意发功率半导体有限公司

太阳能电池的钝化层结构及其制造方法

专利号：CN200810004007.5

公布日：2009-07-22

申请人：财团法人工业技术研究院

一种半导体器件

专利号：CN202220267869.2

公布日：2022-07-29

申请人：厦门士兰集科微电子有限公司

基板及显示面板

专利号：CN201821759909.5

公布日：2019-05-10

申请人：惠科股份有限公司

具有钝化层的量子点粒子及其制作方法

专利号：CN202110671701.8

公布日：2022-12-20

申请人：鑫天虹(厦门)科技有限公司

具有钝化增强层的金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法

专利号：CN201910691468.2

公布日：2019-11-05

申请人：北方民族大学

场效应晶体管器件

专利号：CN202010144306.X

公布日：2021-07-16

申请人：中国科学院半导体研究所