一种MoS₂基金属半导体场效应晶体管

专利号：CN201820183554.3

公布日：2018-09-07

申请人：华南理工大学

制备高密度多孔二维二硫化钼纳米片的方法

专利号：CN201710199969.X

公布日：2018-03-27

申请人：华南师范大学

一种MoS2/C超晶格异质结纳米片自组装纳米管及其制备方法和应用

专利号：CN201510563691.0

公布日：2017-12-26

申请人：合肥工业大学

一种抗摩擦磨损性能优异的MoS2‑Ti复合膜及其制备方法

专利号：CN201510331855.7

公布日：2017-09-22

申请人：张平;台州学院

一种CNT/Co/MoS2复合材料的制备方法

专利号：CN201510271300.8

公布日：2017-04-12

申请人：哈尔滨工业大学

一种MoS₂基金属半导体场效应晶体管及其制备方法

专利号：CN201810106276.6

公布日：2018-06-26

申请人：华南理工大学

一种PLGA/MoS2复合药物支架材料及其制备方法和应用

专利号：CN201510051614.7

公布日：2017-09-01

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

基于Fe掺GaN衬底的二硫化钼光电探测器和制备方法

专利号：CN201710407273.1

公布日：2017-08-08

申请人：深圳大学

一种钠离子电池负极用Sn/MoS₂/C复合材料及其制备方法

专利号：CN201610186308.9

公布日：2018-07-20

申请人：华南理工大学

一种GaN‑MoS2分波段探测器及其制备方法

专利号：CN201610489139.6

公布日：2017-07-21

申请人：深圳大学

TiN+MoS₂/Zr组合涂层刀具及其制备工艺

专利号：CN201110081977.7

公布日：2011-10-05

申请人：山推工程机械股份有限公司

一种二维MoS₂-PbS纳米颗粒复合材料的制备方法

专利号：CN201710064680.7

公布日：2018-09-11

申请人：桂林理工大学

一种非贵金属基二维MoS2/石墨烯水还原催化剂以及其制备方法和应用

专利号：CN201710112030.5

公布日：2017-07-07

申请人：杭州电子科技大学

一种电源防反插自切换电路

专利号：CN202221965671.8

公布日：2023-02-03

申请人：山东新一代信息产业技术研究院有限公司

一种具有氨气敏感效应的二硫化钼薄膜器件及其制备方法和应用

专利号：CN201410450273.6

公布日：2014-12-10

申请人：中国石油大学（华东）