本发明提供一种石墨烯的制备方法,该石墨烯的制备方法至少包括步骤:首先,提供一SiC基底;接着,采用离子注入技术在所述SiC基底中注入Ge;最后,对上述形成的结构进行退火处理,注入的Ge在退火过程中会迫使所述SiC中的Si和C极易断键,断键后的Si和注入的Ge形成SiGe,断键后的C在所述SiGe表面重组形成石墨烯。本发明只需要常压或低压以及低温就能够制备出石墨烯,对制备仪器的要求较低,并且节约能源、减少成本,适用于工业化生产。
一种石墨烯制备方法,其特征在于,所述石墨烯制备方法至少包括:1)提供一SiC基底;2)采用离子注入技术在所述SiC基底中注入Ge;3)对步骤2)形成的结构进行退火处理,注入的Ge在退火过程中会迫使所述SiC中的Si和C极易断键,断键后的Si和注入的Ge形成SiGe,断键后的C在所述SiGe表面重组形成石墨烯。
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