本发明提供一种用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料。该Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料的通式为GaxGeySbzTew,其中0
一种用于相变存储器的Ga‑Ge‑Sb‑Te薄膜材料,其特征在于:所述用于相变存储器的Ga‑Ge‑Sb‑Te薄膜材料的通式为GaxGeySbzTew,其中0
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