本发明提供一种基于混合晶向SOI及沟道应力的器件系统结构及制备方法。根据本发明的制备方法,首先制备(100)/(110)全局混晶SOI结构;接着,在全局混晶SOI结构上依次外延弛豫的锗硅层和应变硅层后,再形成(110)外延图形窗口,并在(110)外延图形窗口处外延(110)硅层及非弛豫的锗硅层后,使图形化混晶SOI结构表面平坦化,接着再形成隔离器件的隔离结构,最后在(110)衬底部分制备P型高压器件结构、在(100)衬底部分制备N型高压器件结构和/或低压器件结构,由此可有效提高各器件的载流子迁移率,改善高压器件的Rdson,提高各器件性能,有利于进一步提高集成度、降低功耗。
一种基于混合晶向SOI及沟道应力的器件系统结构制备方法,其特征在于,所述基于混合晶向SOI及沟道应力的器件系统结构制备方法至少包括:1)制备(100)/(110)全局混晶SOI结构;2)在所述全局混晶SOI结构上依次外延弛豫的锗硅层和应变硅层;3)在具有弛豫的锗硅层和应变硅层的结构上形成(110)外延图形窗口;4)在所述(110)外延图形窗口处依次选择性外延生长(110)硅层及非弛豫的锗硅层,并使外延锗硅层后的图形化混晶SOI结构表面平坦化;5)在外延锗硅层后的图形化混晶SOI结构上形成隔离器件的隔离结构;6)在具有隔离结构的图形化混晶SOI结构的(110)衬底部分制备P型高压器件结构、在(100)衬底部分制备N型高压器件结构和/或低压器件结构,并去除N型高压器件结构的漂移区和漏区的锗硅和应变硅及P型高压器件结构的漂移区和漏区的锗硅。
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