本发明涉及可用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变薄膜材料及其制备和应用。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料,是在Sb-Te相变材料的基础上掺入Ti而成,掺入的Ti与Sb、Te均成键,其化学通式为SbxTeyTi100-x-y,其中0<x<80,0<y<100-x。当为Ti-Sb2Te相变存储材料时,Ti原子替代Sb原子的位置,且没有分相。现有的Sb-Te相变材料结晶过程以晶粒生长占主导,因此相变速率快,然而保持力不能满足工业要求。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料的结晶温度得到大幅度地升高,保持力提升,热稳定性增强;同时,非晶态电阻降低,晶态电阻升高;可广泛应用于相变存储器。
一种用于相变存储器的Sb‑Te‑Ti相变存储材料,为在Sb‑Te相变存储材料中掺入Ti而成,其化学通式为SbxTeyTi100‑x‑y,其中0<x<80,0<y<100‑x。
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