本发明提供一种利用超晶格结构材料制备的高质量SGOI及其制备方法,首先在一衬底上按周期交替生长Ge层(Si层)与Si1-xGex层形成超晶格结构,然后再低温生长Si1-mGem材料,控制此外延层的厚度,使其小于临界厚度。紧接着对样品进行退火或离子注入加退火处理,使顶层的Si1-mGem材料弛豫。最后采用智能剥离的方法将顶层的Si1-mGem及超晶格结构转移到SiO2/Si结构的支撑材料上,形成多层材料。使用研磨或CMP的方法制备高质量的SGOI。由此,利用超晶格结构材料,我们制备出高质量、低成本、低缺陷、厚度可控的SGOI。
一种利用超晶格结构材料制备的高质量SGOI的制备方法,其特征在于,至少包括以下步骤:1)提供第一衬底,在所述第一衬底上按周期交替形成Ge层与Si1‑xGex层,或按周期交替形成Si层与Si1‑xGex层,其中,0<x<1,且各该Si1‑xGex层中Ge组分x随周期数的增加而递增,直至形成一顶Si1‑yGey层,其中,x<y<1,以获得SiGe超晶格结构;2)在所述顶Si1‑yGey层上形成Si1‑mGem层,其中,m<y,然后对所得结构进行退火处理或离子注入加退火处理,以使所述Si1‑mGem层产生弛豫;3)提供具有绝缘层的第二衬底,键合所述绝缘层与Si1‑mGem层;4)对所述第一衬底或SiGe超晶格结构的预设界面进行剥离,并对剥离表面进行抛光,以去除所述第一衬底及SiGe超晶格结构,以完成SGOI的制备。
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