本发明公开了一种SOI电路中的ESD保护结构及其制作方法,该结构包括SOI衬底以及位于SOI衬底上的栅控二极管ESD保护器件,其中,所述栅控二极管ESD保护器件包括:正极、负极、沟道、栅介质层和栅极;所述正极和负极分别位于沟道两端,所述栅介质层和栅极依次位于沟道之上;所述沟道由N型区和P型区组成,且所述N型区与P型区形成纵向的PN结结构。本发明通过离子注入形成纵向大面积PN结进行ESD设计,大大增加了PN结面积,提高了大电流释放能力,实现了与体硅ESD电路相媲美的集成度,改善了SOI电路中ESD的鲁棒性。其制造工艺成本低,与传统SOI电路完全兼容。
一种SOI电路中的ESD保护结构,包括SOI衬底以及位于SOI衬底上的栅控二极管ESD保护器件,其特征在于:所述栅控二极管ESD保护器件包括:正极、负极、沟道、栅介质层和栅极;所述正极和负极分别位于沟道两端,所述栅介质层和栅极依次位于沟道之上;所述沟道由N型区和P型区组成,且所述N型区与P型区形成纵向的PN结结构;其中,所述沟道的P型区位于N型区之上形成P型栅控二极管ESD保护器件,或者所述沟道的N型区位于P型区之上形成N型栅控二极管ESD保护器件。
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