本发明涉及一种用于雪崩光电二极管的能带递变倍增区结构及其制备方法,其特征在于:采用能带梯度递变的n层材料作为倍增区结构,n为自然数,2≤x≤10;制备方法包括:在生长缓冲层、吸收层、数字递变超晶格过渡层和电荷层后,生长能带梯度递变的n层材料作为倍增区结构。本发明的能带递变倍增区结构可以从本质上提高电子与空穴电离率差,无需外加很高的偏压,从而有利于降低器件的过剩噪声。
一种用于雪崩光电二极管的能带递变倍增区结构,其特征在于:采用能带梯度递变的n层材料作为倍增区结构,其中n为自然数,2≤x≤10,倍增区结构材料在倍增区一侧材料禁带宽度最大,往另一侧方向各层材料禁带宽度逐渐减小,在另一侧材料禁带宽度最小。
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