本发明公开了一种防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制造方法。该MOS器件结构,包括Si衬底和位于Si衬底之上的有源区,所述有源区包括沟道以及分别位于沟道两端的源区和漏区,在沟道之上设有栅区,在源区与Si衬底之间,以及漏区与Si衬底之间分别设有绝缘埋层,在沟道与Si衬底之间设有SiGe隔层。该MOS器件结构的沟道可以通过SiGe隔层向Si衬底导电导热,防止了器件的浮体效应及自加热效应;在源区及漏区与Si衬底之间保留绝缘埋层,可减小源漏区的寄生电容。该器件结构采用Si\SiGe\Si外延层通过刻蚀、掺杂、选择性刻蚀、填充绝缘介质等工艺制备,其步骤简单,易于实施,具有重要的应用价值。
一种防止浮体及自加热效应的MOS器件结构,其特征在于,包括:Si衬底、绝缘埋层、SiGe隔层、有源区、栅区和浅沟槽隔离结构;所述有源区位于Si衬底之上,所述有源区包括沟道以及分别位于沟道两端的源区和漏区;所述栅区位于沟道之上;所述绝缘埋层设置在所述源区与Si衬底之间,以及漏区与Si衬底之间;所述SiGe隔层设置在沟道与Si衬底之间;对于NMOS器件,SiGe隔层采用P型的SiGe材料;对于PMOS器件,SiGe隔层采用N型的SiGe材料;所述浅沟槽隔离结构设置在有源区周围。
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