本发明公开了一种深紫外LED芯片、深紫外LED外延片及其制备方法,其中,制备方法包括:在衬底上生长AlGaN缓冲层,并在AlGaN缓冲层上生长N型AlGaN层;在N型AlGaN层上生长Al组分渐变的N型AlGaN层,并在Al组分渐变的N型AlGaN层上生长Al
1.一种深紫外LED外延片的制备方法,其特征在于,包括:在衬底上生长AlGaN缓冲层,并在所述AlGaN缓冲层上生长N型AlGaN层;在所述N型AlGaN层上生长Al组分渐变的N型AlGaN层,并在所述Al组分渐变的N型AlGaN层上生长Al0.5Ga0.5N/Al0.15Ga0.85N有源区;在所述Al0.5Ga0.5N/Al0.15Ga0.85N有源区上生长AlGaN阻挡层,并在所述AlGaN阻挡层上生长P型GaN层,以制备深紫外LED外延片。
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/tech/sell/s_2222057.html,转载请声明来源钻瓜专利网。