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【摘要】:
本发明公开了一种Bi2S3@Cu2O@Cu微纳米异质结构的制备方法,包括以下步骤:通过Bi2S3纳米线复合铜氧化物在Bi2S3表面生长铜氧化物及铜单质以形成Bi2S3@Cu2O@Cu的异质结构;通过复合具有不同能级的Bi2S3和Cu2O两个半导体以及Cu单质可以有效提高太阳能的吸收率和抑制光生电子对的复合率,达到提高材料性能的目的,并通过调控反应原料比例、反应时间以实现调控异质结的密度、形貌和尺度。该方法工艺简单,反应温度相对较低,反应条件易于控制,成本低廉、操作简单,在制备过程中没有采用表面活性剂和有机助剂,反应过程中采用无毒的、常规的原料和试剂,生产成本低廉且环保。
【主权项】:
1.一种Bi2S3@Cu2O@Cu微纳米异质结构的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:通过Bi2S3纳米线复合铜氧化物在Bi2S3表面生长铜氧化物及铜单质以形成Bi2S3@Cu2O@Cu的异质结构。
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