[发明专利]一种降低水热法ZnO晶体的螺旋位错密度的方法有效
| 申请号： | 200710050553.8 | 申请日： | 2007-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101250747A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 卢福华;左艳彬;张昌龙;周卫宁;吕智;霍汉德;顾书林;杭寅 | 申请（专利权）人： | 桂林矿产地质研究院 |
| 主分类号： | C30B7/10 | 分类号： | C30B7/10;C30B29/16 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 马兰 |
| 地址： | 541004广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 水热法 zno 晶体 螺旋 密度 方法 | ||
1、一种降低水热法ZnO晶体的螺旋位错密度的方法，是在利用水热法进行ZnO晶体的生长之前，对ZnO晶体进行下述步骤的处理：
1)取ZnO晶体切割出ZnO晶片；
2)在ZnO晶片+c面和-c面各镀一层耐高温、耐腐蚀材料作为屏蔽层；所述耐高温、耐腐蚀材料为Pt，或Au，或Ag，或它们之中任意两种或两种以上的合金；
3)利用光刻方法在ZnO晶片+c面和/或-c面的屏蔽层上蚀刻出平行的长条形，使+c面和/或-c面的屏蔽层分为阻止ZnO晶片生长的屏蔽区(1)和可使ZnO晶片从中长出的生长窗口区(2)，得到ZnO籽晶片，所得的的ZnO籽晶片即可利用水热法进行ZnO晶体的生长。
2、根据权利要求1所述的降低水热法ZnO晶体的螺旋位错密度的方法，其特征在于：步骤3)中，所述屏蔽区(1)的宽度为2～20μm，生长窗口区(2)的宽度为0.5～20μm。
3、根据权利要求1或2所述的降低水热法ZnO晶体的螺旋位错密度的方法，其特征在于：步骤3)中，所述屏蔽区(1)大于生长窗口区(2)。
4、根据权利要求1或2所述的降低水热法ZnO晶体的螺旋位错密度的方法，其特征在于：步骤1)中，按(0001)切向切割出ZnO晶片。
5、根据权利要求1或2所述的降低水热法ZnO晶体的螺旋位错密度的方法，其特征在于：步骤1)中，所述切割出的ZnO晶片厚度为1～1.2mm。
6、根据权利要求1或2所述的降低水热法ZnO晶体的螺旋位错密度的方法，其特征在于：步骤2)中，所述屏蔽层的厚度为100～150nm。
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