[发明专利]竖直向上接触的半导体及其制造方法有效
| 申请号： | 200910139892.2 | 申请日： | 2009-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101615601A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | R·埃泽勒;M·科克 | 申请（专利权）人： | 丹福斯矽电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L25/00;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 周心志;梁 冰 |
| 地址： | 德国石*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 竖直 向上 接触 半导体 及其 制造 方法 | ||
【说明书】：
技术领域
本发明涉及一种竖直向上接触的半导体，以及其制造方法。
背景技术
在现有技术状态下，已知利用冲压格栅焊接DCB(direct copper bonds直接敷铜)，其由模塑材料覆盖，并包括横向布置在封装(即、半 导体、承载半导体及其模塑材料的引线框架)上的线路。
引线框的电连接部分地从电路的中心引出到边缘。
为了实现带电部件(键合线、半导体和印刷导体)之间的高度电绝 缘并获得非常高的机械稳定性或坚固，如果封装由硬质塑料材料围绕， 可以获得这些产品。
该制造技术包括通过转移模制将硬质塑料、坚硬的、玻璃状聚合材 料(例如Henkel Loctite Hysol)完全填充模体的体积。对于单独的半导 体部件(像ST-Microelectronics IRF-540的TO 220外壳模具)和US 2005/0067719A1中所示的晶体管组是这种情况。
另外对于基板组，一些产品还围绕安装的减热板，例如Mitsubishi的 DIP-IPM(“A new Version Intelligent Power Module for High Performance Motor Control”；M.Iwasaki等；Power Semiconductor Division，Mitsubishi， Japan)。(DIP指：双列直插式封装(Dual Inline Package)而IPM指： 智能功率模块(Intelligent Power Module))。
这种部件组的最经常的部件形式是单列直插式封装和双列直插式封 装(SIP和DIP)，例如Mitsubishi的DIP形式的DIP-IPM PS20341G 或者SIP形式的Mitsubishi SIP-IPM PS-21661。
通常的制造技术包括利用硬质塑料材料填充两个模具半部之间的中 空部。通常，包括印刷导体和触点的冲压格栅插在两个模具半部之间。 该冲压格栅仅用于内部连接和外部连接的引导。关于此点，半导体或者 放置在绝缘引线框(DCB、IMS或者PCB)上，或者在非绝缘的冲压格 栅上。
该现有技术的缺点在于：为了增加可获得功率，通常必须并联数个 SIP/DIP功率部件组。当使用一个或多个电相位时，这些并联的数个 SIP/DIP部件组应当彼此靠近地布置。冲压格栅触点形式的侧向延伸的触 点因而将需要模块体周围另外的空间。
并联的部件组通常通过焊接或螺纹联接连接到条形导体，已知为 轨。该联接技术需要模块体级别的另外的空间。这两因素导致相对长的 导体路径，尤其是高电流电源和高电流出口的。然而，以复杂几何形状 形成的长轨导致并联模块之间的寄生电感，这会对半导体的尺寸和可获 得的切换频率产生不利影响。
因而，由于连接对于封装侧向空间的要求，现有技术不允许紧凑的 侧向排列。从封装中心到冲压格栅边缘的印刷导体所需的另外的空间意 味着在该区域中形成连接是不可能的，并且除安装元件与电开关的交叉 之外，还存在高寄生电感的问题。
发明内容
因此，本发明的任务是提供具有改进条件的模块。
根据本发明，提出一种竖直向上的接触半导体模块，具有包括基板 的引线框、布置在基板上的半导体和电触头，所述触头从导线层开始形 成为与位于所述导线层之下的基板侧面相反的、向上指向的导电接触 体，其中，所述接触体形成具有两个腿部的金属舌状件，该金属舌状件 以其自由端部固定在引线框上，并包括向外的连接两个腿部的平面区域 作为接触表面，所述触头至少部分地位于围绕所述半导体的包封式模塑 材料中。
根据本发明，提出一种具有引线框的向上接触半导体包括基板、布 置在基板上的半导体和电触头，其中触头形成为向上的导体。方向“向 上”是与基板侧相反的方向。
具体地，接触体应设计成具有变形区域的弹性金属舌状体，其尤其 用于确保在传递模塑期间，金属舌状件弹性地靠在模具内侧，因而最后 与内侧对齐，从而没有模塑材料会阻止接触。这使得最后，嵌在模塑材 料中的金属舌状件更稳定，且接触体的上侧与模塑材料的上侧齐平。
优选的是，接触体在它们的上端具有适合容纳插头的孔，其没有模 塑材料(在模制期间，通过接触模具边缘或者被移除的型芯，盲孔保持 没有模塑材料)。
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- 本实用新型公开了一种芯片扇出型封装结构，其芯片扇出型封装结构包括：层叠封装结构，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；层叠封装结构包括依次层叠的多个封装体，不同封装体的封装材料不同；阶梯型导电通孔，形成在层叠封装结构中，一端暴露于层叠封装结构的第一表面，用于电连接多个封装体；阶梯型导电通孔沿成第一表面至第二表面方向，每层封装体中的通孔的孔径依次减小。本实用新型实施例根据不同层封装体的封装材料制成的阶梯型通孔结构，使得位于不同层不同封装材料的封装体中包封的芯片或元器件都能引出其电信号，满足了实际应用中各种芯片或元器件分布在不同结构层的需求。
- 用于可弯曲并且可伸展的器件的波状互连件-201480078557.5
- 胡川;A·A·埃尔谢尔比尼;Y·富田;S·利夫 - 英特尔公司
- 2014-05-28 - 2019-09-10 - H01L23/48
- 本公开内容的实施例描述了用于可弯曲并且可伸展的器件的波状互连件以及相关联的技术和构造。在一个实施例中，互连组件包括限定平面的柔性衬底和设置在柔性衬底上的波状互连件并且被配置为沿着与所述平面共面的第一方向按照路线发送集成电路(IC)器件的电信号，波状互连件具有第二方向上的波状轮廓，所述第二方向垂直于所述第一方向并且与所述平面共面。可以描述和/或要求保护其它实施例。
- 锚固的互连件-201480076362.7
- J·康;H·科塔里;C·C·蒙塔鲁;A·W·杨 - 英特尔公司
- 2014-03-28 - 2019-09-10 - H01L23/48
- 实施例包括一种半导体结构，包括：后端部分，该后端部分包括位于底部金属层与顶部金属层之间的多个金属层；顶部金属层包括具有第一侧壁表面和第二侧壁表面以及使侧壁表面彼此耦合的顶部表面的顶部金属层部分，其中，第一侧壁表面与第二侧壁表面相对；绝缘体层，该绝缘体层直接接触顶部表面；以及过孔，该过孔将接触凸块耦合至顶部金属层部分；其中，与耦合至后端部分的衬底正交的第一垂直轴与接触凸块、氮化物层、过孔、和顶部金属层部分相交。本文中描述了其它实施例。
- 半导体器件以及包括该半导体器件的半导体封装-201510289069.5
- 杨周宪 - 爱思开海力士有限公司
- 2015-05-29 - 2019-09-03 - H01L23/48
- 本发明提供半导体器件以及包括该半导体器件的半导体封装。一种半导体器件可以包括：基板，其包括第一表面和第二表面；穿透电极，其穿过基板，以包括从基板的第二表面伸出的突起；以及前侧凸块，其电耦接至穿透电极并且设置在基板的第一表面上。半导体器件可以包括：第一钝化图案，其设置在基板的第一表面上，以基本围绕前侧凸块的侧壁，并且可以被形成为包括凹凸表面；以及第二钝化图案，其设置在基板的第二表面上以包括凹凸表面。穿透电极的突起可以穿过第二钝化图案，以从第二钝化图案的凹凸表面伸出。
- 专利分类
