[发明专利]在处理系统化学分析中使用的电子束激励器

权利要求书

1.一种用于激励气体中粒子的排气线路激励器，其特征在于，包括

用于沿电子束轴生成电子束的电子束激励器，所述电子束具有处于第一平均电子能级的第一浓度的电子，所述电子束激励器连接到来自半导体反应器腔的气体管道，所述气体管道具有用于从半导体反应器腔传送废气流的内部体积，其中所述电子束轴的至少一部分横越过所述气体管道的所述内部体积。

2.根据权利要求1所述的排气线路激励器，其特征在于，所述电子束激励器进一步包括：

电子源，用于生成处于第二平均电子能级的第二浓度的电子；以及

电子抽取器，用于从所述电子源抽取所述处于第二平均电子能级的第二浓度的电子，并沿所述电子束轴加速所述第二浓度的电子到所述第一平均电子能级。

3.根据权利要求2所述的排气线路激励器，其特征在于，所述电子束激励器进一步包括：

电连接到电子源的参考电势源，用于在所述电子源建立参考电势；以及

电连接到所述电子抽取器的能态抽取器电压供应器，用于提供电压给所述电子抽取器以在所述电子抽取器上建立电抽取电荷。

4.根据权利要求2所述的排气线路激励器，其特征在于，所述电子束激励器进一步包括：

电连接到电子源的参考电势源，用于在所述电子源建立参考电势；以及

电连接到所述电子抽取器的可变能态抽取器电压供应器，用于提供可变电压给所述电子抽取器以在所述电子抽取器上建立可变电抽取电荷。

5.根据权利要求4所述的排气线路激励器，其特征在于，所述电子源进一步包括：

源腔；

包含在源腔内的电子发射材料，用于接收激励能量并发射处于第二平均电子能态的第二浓度的电子；以及

抽取器开口，用于为所述源腔创造路径，所述抽取器开口具有抽取器开口直径。

6.根据权利要求5所述的排气线路激励器，其特征在于，所述电子发射材料是来自所述半导体反应器腔的废气。

7.根据权利要求5所述的排气线路激励器，其特征在于，所述电子发射材料是用于所述电子源的发射器部件。

8.根据权利要求5所述的排气线路激励器，其特征在于，所述电子束激励器进一步包括：

连接到电子源的可变密度激励能量供应器，用于提供可变激励能量给所述电子源。

9.根据权利要求8所述的排气线路激励器，其特征在于，所述电子源是感应耦合等离子体型电子源，所述电子源进一步包括：

配置成围绕所述源腔并电连接到所述可变密度激励能量的感应线圈，用于激励来自所述半导体反应器腔并位于所述源腔内的废气，以发射处于第二平均电子能态的第二浓度的电子，其中所述源腔的至少一部分由非导电材料组成，且所述可变密度激励能量供应器提供的可变激励能量是射频范围内的高频电磁波。

10.根据权利要求8所述的排气线路激励器，其特征在于，所述电子源进一步包括：

参考电势表面，所述参考电势表面靠近所述源腔中处于第二平均电子能态的第二浓度的电子从而使得所述处于第二平均电子能态的第二浓度的电子呈现所述参考电势源的参考电势。

11.根据权利要求8所述的排气线路激励器，其特征在于，所述电子源是空心阴极型电子源，所述电子源进一步包括：

电连接到可变密度激励能量的阳极；以及

电连接到所述参考电势源的空心阴极，至少一分部分所述空心阴极设置在阳极和激励器开口之间用于激励来自半导体反应器腔的废气，并在所述源腔内发射处于第二平均电子能态的第二浓度的电子，其中所述可变激励能量供应器提供的可变激励能量是DC电压。

12.根据权利要求8所述的排气线路激励器，其特征在于，所述电子源是场发射器阵列型电子源，所述电子源进一步包括：

连接到可变密度激励能量的场发射器阵列；所述场发射器阵列具有第一表面和多个位于所述第一表面上的尖端，用于发射处于第二平均电子能态的第二浓度的电子，其中所述可变激励能量供应器提供的可变激励能量是DC电压。

13.根据权利要求12所述的排气线路激励器，其特征在于，所述电子源进一步包括：

靠近所述源腔中处于第二平均电子能态的第二浓度的电子从而使得所述处于第二平均电子能态的第二浓度的电子呈现所述参考电势源的参考电势的参考电势表面。