[发明专利]用于MRI装置的梯度屏蔽线圈

权利要求书

1.一种用于MRI装置(1)的梯度屏蔽线圈(5)，所述梯度屏蔽线圈(5)包括围绕其纵轴(A)的绕组(6、7)，其中，至少一个绕组(7)通过沿其圆周包括多个邻接的部分(8)而被布置为曲折绕组(7)，其中，在这些部分(8)中的每个部分中以如下的方式提供一对导体回路(9、10)：使得所述曲折绕组(7)中的电流将在所述两个导体回路(9、10)中以相反的方向流动。

2.根据权利要求1所述的梯度屏蔽线圈(5)，其中，在每个部分(8)中，所述两个导体回路(9、10)在沿着所述曲折绕组(7)的所述圆周以相同的长度彼此相邻地布置。

3.根据权利要求1或2所述的梯度屏蔽线圈，其中，在每个部分(8)中，以如下的方式提供多对导体回路(9、10)：使得所述曲折绕组(7)中的电流将在相应的对中的所述两个导体回路(9、10)中以相反的方向流动。

4.根据权利要求3所述的梯度屏蔽线圈(5)，其中，在每个部分(8)中，所述导体回路(9、10)在沿着所述曲折绕组(7)的所述圆周以相同的长度彼此相邻地布置。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的梯度屏蔽线圈(5)，其中，具有导体回路(9、10)的所述对的所述部分(8)沿着所述曲折绕组(7)的所述圆周彼此以规则的间隔布置。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的梯度屏蔽(5)线圈，其中，所述梯度屏蔽线圈(5)具有圆柱形状，所述圆柱形状具有两个开口端，并且所述至少一个曲折绕组(7)被布置在这些开口端中的一个上。

7.根据权利要求6所述的梯度屏蔽线圈，其中，在这些开口端部的两者处分别布置有至少一个曲折绕组(7)。

8.根据权利要求6或7所述的梯度屏蔽线圈，其中，至少两个曲折绕组(7)被布置在所述梯度屏蔽线圈中间区域。

9.根据前述权利要求中的任一项所述的梯度屏蔽线圈(5)，其中，至少一个弯曲绕组(13)邻近曲折绕组(7)被提供，其中，所述弯曲绕组(13)不在所述梯度屏蔽线圈的圆柱表面上笔直延伸，但也不像所述曲折绕组(7)那样包含任何导体回路。

10.根据权利要求9所述的梯度屏蔽线圈，其中，所述弯曲绕组(13)邻近每个曲折绕组(7)布置。

11.一种MRI装置(1)，其包括用于生成MRI装置(1)的主磁场的超导磁体(2)和用于生成叠加到所述主磁场的梯度磁场的至少一个梯度线圈(4)，其中，所述梯度线圈(4)被所述超导磁体(2)包围，并且其中，由根据权利要求1至7中的任一项所述的梯度屏蔽线圈(5)使所述超导磁体(2)屏蔽于所述梯度磁场，所述梯度屏蔽线圈被布置在所述超导磁体(29)与所述梯度线圈(4)之间。

12.根据权利要求11所述的MRI装置，其中，所述梯度线圈(4)在所述梯度线圈(4)的平面中间附近包括鞍形绕组，并且所述至少一个曲折绕组(7)以如下的方式在所述梯度线圈(4)的平面中间附近的所述鞍形绕组上布置：使得所述超导磁体(2)被屏蔽于这些鞍形绕组。

13.一种通过在超导磁体(2)与MRI装置(1)的梯度线圈(4)之间布置梯度屏蔽线圈(5)来使所述超导磁体(2)被屏蔽于由所述梯度线圈(4)生成的梯度磁场的方法，所述梯度屏蔽线圈(5)包括绕其纵轴的绕组(6、7)，其中，至少一个绕组(7)通过沿其圆周包括多个邻接的部分(8)而被布置为曲折绕组(7)，其中，在这些部分(8)中的每个部分中以如下方式提供一对导体回路(9、10)：使得所述弯曲绕组(7)中的电流在所述两个导体回路(9、10)中以相反的方向流动。