[发明专利]压电薄膜、压电薄膜元件及压电换能器

权利要求书

1.一种压电薄膜，其中，

是具备第一压电层、和直接重叠于所述第一压电层的第二压电层的压电薄膜，

所述第一压电层包含钙钛矿型氧化物的四方晶1，

所述第二压电层包含钙钛矿型氧化物的四方晶2，

所述四方晶1的(001)面在所述压电薄膜的表面的法线方向上取向，

所述四方晶2的(001)面在所述压电薄膜的表面的法线方向上取向，

所述四方晶1的(001)面的间隔为c1，

所述四方晶1的(100)面的间隔为a1，

所述四方晶2的(001)面的间隔为c2，

所述四方晶2的(100)面的间隔为a2，

c2/a2大于c1/a1，

c1/a1为1.015以上且1.050以下。

2.根据权利要求1所述的压电薄膜，其中，

c2/a2为1.051以上且1.250以下。

3.根据权利要求1或2所述的压电薄膜，其中，

所述四方晶1的(001)面的衍射X射线的峰强度为I₁，

所述四方晶2的(001)面的衍射X射线的峰强度为I₂，

I₂/(I₁+I₂)为0.90以上且小于1.00。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的压电薄膜，其中，

所述钙钛矿型氧化物含有铋、铁、元素E^B及氧，

所述元素E^B为选自镁、铝、锆、钛、镍及锌中的至少一种元素。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的压电薄膜，其中，

所述四方晶1以下述化学式1表示，

下述化学式1中的E^A为选自Na、K及Ag中的至少一种元素，

下述化学式1中的E^B为选自Mg、Al、Zr、Ti、Ni及Zn中的至少一种元素，

下述化学式1中的x1为0.10以上且0.90以下，

下述化学式1中的y1为0.05以上且0.85以下，

下述化学式1中的z1为0.05以上且0.85以下，

x1+y1+z1为1.00，

下述化学式1中的α为0.00以上且小于1.00

x1(Bi_1-αE^A_α)E^BO₃-y1BiFeO₃-z1Bi(Fe_0.5Ti_0.5)O₃ (1)。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的压电薄膜，其中，

所述四方晶2以下述化学式2表示，

下述化学式2中的E^A为选自Na、K及Ag中的至少一种元素，

下述化学式2中的E^B为选自Mg、Al、Zr、Ti、Ni及Zn中的至少一种元素，

下述化学式2中的x2为0.10以上且0.85以下，

下述化学式2中的y2为0.10以上且0.85以下，

下述化学式2中的z2为0.05以上且0.80以下，

x2+y2+z2为1.00，

下述化学式2中的α为0.00以上且小于1.00

x2(Bi_1-αE^A_α)E^BO₃-y2BiFeO₃-z2Bi(Fe_0.5Ti_0.5)O₃ (2)。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的压电薄膜，其中，

所述第一压电层的厚度为10nm以上且300nm以下。

8.一种压电薄膜元件，其中，

具备权利要求1～7中任一项所述的压电薄膜。