[发明专利]集成电路以及用于实现物理不可复制功能的相应方法

权利要求书

1.一种设备，包括：

不可复制功能电路装置，包括：

处于原始状态的多个相变存储器单元对；以及

感测电路装置，耦合到处于所述原始状态的所述多个相变存储器单元对，其中所述感测电路装置在操作中：

基于可靠性掩码来标识处于所述原始状态的所述多个相变存储器单元对的子集；

感测所标识的处于所述原始状态的所述多个相变存储器单元对的子集的有效电阻值的差异的符号；以及

基于所标识的处于所述原始状态的所述多个相变存储器单元对的子集的所述有效电阻值中的差异的所感测的所述符号，来生成位串；以及

处理电路装置，耦合到所述不可复制功能电路装置，其中所述处理电路装置在操作中使用所生成的所述位串来执行一个或多个操作。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述感测电路装置包括差分感测放大器，所述差分感测放大器在操作中生成所述不可复制功能电路装置的输出，所述输出是物理不可复制的随机位串，每个位基于所述多个相变存储器单元对的所标识的子集中的相应一个子集的所感测的符号。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述可靠性掩码被存储在非易失性存储器中，并且包括指示所述多个相变存储器单元对中的每对单元的可靠性的相应标志。

4.根据权利要求3所述的设备，包括相变存储器阵列，所述相变存储器阵列包括：

第一区域，包括处于所述原始状态的所述多个相变存储器单元对；以及

第二区域，包括处于被配置为存储所述可靠性掩码的写入状态的多个第二相变存储器单元对。

5.根据权利要求4所述的设备，其中每个第二相变存储器单元对的第二区域中的位置类似于处于原始状态下的相应相变存储器单元对的第一区域中的位置，所述类似位置形成在处于原始状态下的所述多个相变存储器单元对与处于写入状态下的所述多个第二相变存储器单元对的相应存储器地址之间的链接。

6.根据权利要求2所述的设备，其中所述感测电路装置在操作中生成所述可靠性掩码，生成所述可靠性掩码包括，对于处于原始状态的所述多个相变存储器单元对中的每对相变存储器单元：

在处于原始状态的所述多个相变存储器单元对的所述相变存储器单元对的第一差分读取路径中生成第一裕量电流，并且存储由所述差分感测放大器感测的第一符号；

在处于原始状态的所述多个相变存储器单元对的所述相变存储器单元对的第二差分读取路径中生成第二裕量电流，并且存储由所述差分感测放大器感测的第二符号；

将所述第一符号与所述第二符号进行比较；以及

基于所述第一符号与所述第二符号的所述比较，在所述可靠性掩码中分配可靠性标志。

7.一种用于实现物理不可复制功能的方法，所述方法包括：

基于可靠性掩码，标识处于原始状态的多个相变存储器单元对的子集；

感测处于所述原始状态的所述多个相变存储器单元对的所标识的子集的有效电阻值的差异的符号；

基于对处于所述原始状态的所述多个相变存储器单元对的所标识的子集的所述有效电阻值的差异的所感测的符号，来生成位串；以及

使用所生成的所述位串来执行一个或多个处理操作。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述位串是物理不可复制的随机位串，每一位基于所述多个相变存储器单元对的所标识的子集中的相应子集的所感测的符号。

9.根据权利要求7所述的方法，包括：

将所述可靠性掩码存储在非易失性存储器中，所述可靠性掩码包括用于多个相变存储器单元对的每对单元的相应标志；以及

将所述标志与所述多个相变存储器单元对的相应单元对的地址链接。

10.根据权利要求9所述的方法，其中处于原始状态的所述多个相变存储器单元对在相变存储器阵列的第一区域中，并且存储所述可靠性掩码包括使用一个或多个写入操作将所述可靠性掩码存储在所述相变存储器阵列的第二区域中的多个第二相变存储器单元对中。