[发明专利]偏置电压施加电路和半导体存储装置无效
| 申请号： | 200510009468.8 | 申请日： | 2005-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1655281A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 森康通;吉本贵彦;渡边雅彦;安西伸介;野岛武;正木宗孝 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409;G11C7/00;G11C7/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 分别对选择存储单元和参考存储单元进行电流供给的2个偏置电路(20)其电路结构相同，各偏置电路分别具有：第1有源元件(21a、21b)，在电源节点(Vcc)和结合节点(Nca、Ncb)之间控制电流，以便抑制上述结合节点的电压电平的变动；第2有源元件(22a、22b)，在电源节点和输出节点(Nouta、Noutb)之间控制电流，以使上述输出节点的电压电平与另一侧的偏置电路的结合节点的电压电平相反方向地变化；第3有源元件(23a、23b)和第4有源元件(24a、24b)，在上述结合节点和电流供给节点(Nsa、Nsb)之间以及上述输出节点和上述电流供给节点之间，调整偏置电压。 | ||
| 搜索关键词： | 偏置 电压 施加 电路 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1、一种偏置电压施加电路，其特征在于，具有：第1偏置电路，将规定的偏置电压施加到从排列多个存储单元而成的主存储器阵列中选择出的选择储存单元上进行电流供给，将对应于上述选择存储单元的存储状态而流过的存储单元电流变换为电压电平并输出；以及第2偏置电路，将规定的偏置电压施加到参考储存单元上进行电流供给，将对应于上述参考存储单元的存储状态而流过的存储单元电流变换为电压电平并输出，上述第1偏置电路和上述第2偏置电路分别具有相同的电路结构，该结构中具备：第1有源元件，在电源节点和结合节点之间控制电流，以便抑制上述结合节点的电压电平的变动；第2有源元件，在电源节点和输出节点之间控制电流，以使上述输出节点的电压电平与另一侧的上述偏置电路的上述结合节点的电压电平相反方向地变化；第3有源元件，在上述结合节点和电流供给节点之间，将从上述第1有源元件供给的电流供给到上述选择存储单元或上述参考存储单元，并且将上述电流供给节点的电压电平抑制在规定电平；以及第4有源元件，在上述输出节点和上述电流供给节点之间，将从上述第2有源元件供给的电流供给到上述选择存储单元或上述参考存储单元，并且将上述电流供给节点的电压电平抑制在规定电平。
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