[发明专利]含有表面活性剂的处理溶液

摘要

将含有一种或多种表面活性剂的处理溶液用于减少半导体器件制造过程中的缺陷数量。在某些实施方案中，当该处理溶液在图案化的光致显影剂层的显影过程中或之后用作冲洗液时，其可减少显影后的缺陷，例如图案损坏或线宽粗糙度。还公开了一种使用本发明的处理溶液，使涂覆了光致抗蚀剂的多个基底上的缺陷数量减少的方法，该缺陷例如为图案损坏和/或线宽粗糙度。

主权项

1、一种在半导体器件制造过程中减少缺陷数量的方法，该方法包括：提供一个包括光致抗蚀剂涂层的基底；将基底暴露于辐射源，以在光致抗蚀剂涂层上形成图案；将显影液作用于基底上，以形成图案化的光致抗蚀剂涂层；任选用去离子水冲洗基底；和使基底与处理溶液接触，该处理溶液包括至少一种水溶剂、至少一种可与水溶剂混溶的非水溶剂，和约10ppm-约10,000ppm的至少一种式(I)、(II)、(III)、(IVa)、(IVb)、(V)、(VI)、(VII)、(VIII)、(IXa)、(IXb)、(IXc)、(Xa)、(Xb)、(Xc)或(Xd)所示的表面活性剂：R₁-NH₂                    R₁-N-R₄IXa                             IXb                      IXcR₁-NH(CH₂CH₂O)_mHXa                              Xb                       Xc其中，R、R₁、R₄和R₁₂各自独立地为具有3-25个碳原子的直链、支链或环状烷基；R₂和R₃各自独立地为氢原子，或具有1-5个碳原子的烷基；R₅为具有1-10个碳原子的直链、支链或环状烷基；R₆为具有4-16个碳原子的直链、支链或环状烷基；R₇、R₈和R₉各自独立地为具有1-6个碳原子的直链、支链或环状烷基；R₁₀独立地为H，或下式代表的基团；R₁₁为具有4-22个碳原子的直链、支链或环状烷基；W为氢原子或炔基；X和Y各自独立地为氢原子或羟基；Z为卤素原子、羟基、醋酸根基团或羧酸根基团；i、m、n、p和q各自独立地为0-20的数；r和s各自独立地为2或3；t为0-2的数；j为1-5的数；x为1-6的数。