[发明专利]用于曝出微小通孔图案的相位移掩模设计无效
| 申请号： | 200510087990.8 | 申请日： | 2005-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1904729A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 林金隆 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/16 | 分类号： | G03F1/16;G03F1/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于曝出微小通孔图案的相位移掩模，包括有一透光基板，具有一上表面；一不透光材料层，镀于该透光基板的上表面，其中该不透光材料层具有一开口，暴露出下方该透光基板的预定透光区域。其中该预定透光区域包括有：十字形第一相位移区域；以及除了该十字形第一相位移区域以外的第二相位移区域，其中通过该十字形第一相位移区域的光线与通过该第二相位移区域的光线的相位差为180度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 微小 图案 相位 移掩模 设计 | ||
【主权项】：
1.一种用于曝出微小通孔图案的相位移掩模，包括有：一透光基板，具有一上表面；一不透光材料层，镀于该透光基板的上表面，其中该不透光材料层具有一开口，暴露出下方该透光基板的预定透光区域；其中该预定透光区域包括有：十字形第一透光区域，是以蚀刻方式蚀刻该透光基板至第一基板厚度；以及除了该十字形第一透光区域以外的第二透光区域，其中该第二透光区域具有一第二基板厚度，该第二基板厚度比该第一基板厚度厚，如此使得通过该十字形第一透光区域的光线与通过该第二透光区域的光线的相位差为180度。
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- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
