[实用新型]一次可生产多根硅芯及其它晶体材料的高频线圈无效
| 申请号： | 200620031584.X | 申请日： | 2006-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN2918456Y | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 刘朝轩;李文智 | 申请（专利权）人： | 洛阳金诺机械工程有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/20 | 分类号： | C30B13/20;H05B6/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 471000河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 一种一次可生产多根硅芯及其它晶体材料的高频线圈，涉及高频线圈技术领域，在紫铜圆盘(5)的周围环绕有铜管(8)，其紫铜圆盘(5)的内部的双开内孔呈“8”字形，三个半圆弧向心排列、四个半圆弧向心排列、五个半圆弧向心排列及多个半圆弧向心排，在紫铜圆盘(5)上的铜管(8)进、出口之间留有防止高频电流(7)就近回流的段开缝(9)，其紫铜圆盘(5)的下部面(10)为呈渐进形阶梯状。本高频线圈须与高频加热设备配套使用，使其在加工硅芯及其它晶体材料时达到一次同时生产加工多根，可以大大提高工作效率，且具有结构合理，耗电少，可以实现为企业节省成本，为国家节约能源的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一次 可生产 多根硅芯 其它 晶体 材料 高频 线圈 | ||
【主权项】：
权利要求书1、一种一次可生产多根硅芯及其它晶体材料的高频线圈，其特征在于：在紫铜圆盘(5)的周围环绕有铜管(8)，其紫铜圆盘(5)的内部的双开内孔呈“8”字形，在紫铜圆盘(5)上的铜管(8)进、出口之间设有段开缝(9)。
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- 2018-04-13 - 2018-08-21 - C30B13/20
- 本发明提供了一种抗形变线圈，包括线圈主体、安装于线圈主体外边沿上的连接有电极的两个线圈腿，还包括安装于线圈腿处的抗形变夹具，抗形变夹具由耐高温、不易变形的绝缘材料制成；抗形变夹具包括安装于两个线圈腿之间的主缝隙内的定距条，定距条的形状与主缝隙的结构相匹配。本发明所述的抗形变线圈抗形变能力强，稳定性高，高温使用寿命长，有效解决了因区熔感应加热线圈形变造成单晶生长工艺不稳定以及热场几何参数变化缺陷，从而导致单晶成晶率低的问题。
- 区熔炉系统-201810245761.1
- 吴壮海;曾小明;朱长存;韦楚秀 - 韶关保绿环保科技股份有限公司
- 2018-03-23 - 2018-07-03 - C30B13/20
- 本发明提供了一种区熔炉系统。上述区熔炉系统，包括电气控制设备，炉管，连续推舟设备，位于炉管内的石墨舟，感应器和区熔炉感应加热电源；感应器固定套接在炉管外部；石墨舟沿着炉管的轴向依次排布；感应器与区熔炉感应加热电源对应设置；石墨舟用于容置金属铸锭；电气控制设备用于：控制区熔炉感应加热电源，以调节区熔炉感应加热电源的输出参数；控制连续推舟设备推动炉管的进料口处的石墨舟以推动与石墨舟相邻的石墨舟向炉管的出料口处运动。采用以舟推舟的方式，推动各石墨舟依次通过多个感应器所在的加热区，完成多次区熔提纯，可以连续对进入炉管内的金属铸锭进行区熔提纯，也无需停机出料，生产效率高。
- 一种用于拉制区熔单晶硅的反射器-201611125259.4
- 李明飞;闫志瑞;王永涛;陈海滨;李宗峰;李磊 - 有研半导体材料有限公司
- 2016-12-08 - 2018-06-22 - C30B13/20
- 本发明公开了一种用于拉制区熔单晶硅的反射器，该反射器呈漏斗形，其上部为圆台形结构，下部为圆柱体结构；上部的下端口径与下部的直径相同。所述圆柱体的侧壁上沿轴向等间距开设有数个狭缝。本发明设计了一种合理的反射器结构，使得单晶热场变化更加合理，更加有利于放肩和单晶等径保持。减小单晶放肩和等径过程中温度变化梯度，使得单晶能稳定的生长至正常收尾。
- 用于生产硅的单晶体的设备和方法-201510161991.6
- G·布伦宁格;W·施泰因;M·黑伯伦 - 硅电子股份公司
- 2015-04-07 - 2018-01-19 - C30B13/20
- 一种用于生产硅的单晶体的设备和方法。该设备包括板，该板具有带外边缘和内边缘的顶侧、邻接内边缘的中央开口和从中央开口延伸到板的底侧下面的管；用于计量至板的顶侧上的颗粒状硅的装置；第一感应加热线圈，其设置在板的上方并且提供来用于熔化沉积的颗粒状硅；第二感应加热线圈，其设置在板的下面并且提供来用于稳定硅的熔体，在生长硅的单晶体时出现熔体。该设备的特征在于，板的顶侧是由陶瓷材料构成的并且具有隆起，相邻的隆起的中间部之间在径向方向上的距离不小于2mm并且不大于15mm。
- 一种水平定向区熔结晶制备法中的单晶生长炉用水平箱式发热体-201510377295.9
- 刘洋;张明福;赵业权;聂颖 - 哈尔滨工业大学
- 2015-07-01 - 2017-09-26 - C30B13/20
- 一种水平定向区熔结晶制备法中的单晶生长炉用水平箱式发热体，它涉及水平定向区熔结晶制备法单晶生长炉用水平箱式发热体。它包括上层和下层，上下两层共同形成一个前后两侧开口的空间，下层为4个平行设置的钨管体，每个钨管体的两端的端头分别与支架一垂直连接，每个钨管体的端头处的上端面分别通过支架二与上层垂直连接；其材质大部分为钨，通电后可以对加热体内的物质进行加热。而水平定向区熔结晶制备法单晶生长炉用水平箱式发热体改进的地方主要是形貌的改变，由圆筒形或笼状改为水平箱式，可以部分解决现有发热体长时间加热导致发热体变形的缺陷，并能契合要加热物质的形状。
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