[发明专利]具有复合导电基底的光电子结构有效
| 申请号： | 200680006141.8 | 申请日： | 2006-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101128941A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·R·希茨;萨姆·高;格雷戈里·米勒;马丁·R·罗司挈森 | 申请（专利权）人： | 纳米太阳能公司 |
| 主分类号： | H01L31/062 | 分类号： | H01L31/062;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了光电子装置模块、阵列光电子装置模块和光电子装置模块的制造方法。该装置模块使用起始基底制成，该起始基底具有夹在由挠性块体导体制成的底部电极和导电底板之间的绝缘层。活性层位于底部电极和透明导电层之间。透明导电层和底板之间的一个或多个电接触件形成为穿过透明导电层、活性层、挠性块体导体和绝缘层。电接触件与活性层、底部电极和绝缘层电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 复合 导电 基底 光电子 结构 | ||
【主权项】：
1.一种光电子装置模块，包括：起始基底，该起始基底具有由挠性块体导体制成的底部电极、绝缘层和导电底板，其中绝缘层夹在底部电极和底板之间；活性层和透明导电层，它们设置为使得活性层位于底部电极和透明导电层之间；透明导电层和底板之间的一个或多个电接触件，所述电接触件形成为穿过透明导电层、活性层、挠性块体导体和绝缘层，其中电接触件与活性层、底部电极和绝缘层电隔离。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
