[发明专利]发射辐射的光电子器件有效
| 申请号： | 200680040257.3 | 申请日： | 2006-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101297412A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 多米尼克·艾泽特;诺贝特·林德;雷蒙德·奥伯施密德;迪尔克·贝尔本;弗兰克·耶尔曼;马丁·察豪 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高少蔚;李德山 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光电子器件，具有：半导体本体(1)，其包括有源半导体层序列(2)，该有源半导体层序列适于产生第一波长的电磁辐射，该电磁辐射从半导体本体(1)的前侧(3)发射。此外，该器件还包括在半导体本体(1)辐射方向上设置在该半导体本体之后的第一波长转换材料(6)，其将第一波长的辐射转换成与第一波长不同的第二波长的辐射，以及在有源半导体层序列(2)与第一波长转换材料(6)之间的第一选择性反射层(8)，该层选择性地反射第二波长的辐射并且对第一波长的辐射是透射性的。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 辐射 光电子 器件 | ||
【主权项】：
1.一种光电子器件，具有：-半导体本体(1)，其包括有源半导体层序列(2)，该有源半导体层序列适于产生第一波长的电磁辐射，该电磁辐射从半导体本体(1)的前侧(3)发射，-在半导体本体(1)的辐射方向上设置在半导体本体(1)之后的第一波长转换材料(6)，该第一波长转换材料(6)将第一波长的辐射转换成与第一波长不同的第二波长的辐射，以及-在有源半导体层序列(2)与第一波长转换材料(6)之间的第一选择性反射层(8)，该层选择性地反射第二波长的辐射并且对第一波长的辐射是透射性的。
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