[发明专利]中心对称连续衍射元件掩模微结构图形转移方法无效
| 申请号： | 200710170462.8 | 申请日： | 2007-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN101191999A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王多书;刘宏开;叶自煜;罗崇泰;熊玉卿;李锦磊;杜春雷;邓启凌;邱传凯 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F1/00;G02B3/00;G02B5/00 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利事务所 | 代理人： | 徐筱梅 |
| 地址： | 73003*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种中心对称连续衍射元件掩模微结构图形转移方法，它采用反应离子束刻蚀法将连续衍射光学元件掩模光刻胶层上的中心对称连续微结构图形转移到基片表面，具体包括设定刻蚀速率比；设定刻蚀工艺参数；刻蚀转移等步骤。本发明整个过程自动化控制，工艺稳定，重复性好，操作简便，产品合格率高；由于采用反应离子束刻蚀法进行微结构图形转移，提高了图形转移精度和相应衍射元件的衍射效率。 | ||
| 搜索关键词： | 中心对称 连续 衍射 元件 微结构 图形 转移 方法 | ||
【主权项】：
1.一种中心对称连续衍射元件掩模微结构图形转移方法，其特征在于它采用反应离子束刻蚀法将连续衍射元件掩模光刻胶层上的中心对称连续微结构图形转移到基片表面，其具体包括以下步骤：a、设定刻蚀速率比光刻胶版掩模在制作过程中，坚模工序的温度在110℃～130℃，设定光刻胶层与基片的刻蚀速率比在1.5～3∶1；b、设定刻蚀工艺参数①、选用六氟化硫(SF6)为刻蚀气体，流量为30～45sccm/min；②、射频功率10～80W；③、反应腔腔压2.8～3.5Pa；c、刻蚀转移采用反应离子束刻蚀设备，输入刻蚀工艺参数，将光刻胶层的中心对称连续微结构图形刻蚀转移到基片表面。
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