[实用新型]一种测量半导体薄膜材料塞贝克系数和电阻率的装置无效
申请号: | 200720084694.7 | 申请日: | 2007-05-11 |
公开(公告)号: | CN201041559Y | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | 杨君友;肖承京;朱文;鲍思前;樊希安;段兴凯;张亲亲;李良彪;李凯;张同俊 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G01N27/18 | 分类号: | G01N27/18;G01N27/02 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 | 代理人: | 曹葆青 |
地址: | 430074湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种测量半导体薄膜材料室温下塞贝克系数和电阻率的装置,热电堆与冷、热端导热铜块固定一体,其下部形成空腔,空腔内布置有电位探针。Seebeck电势检测点和冷、热端热电偶安置在导热铜块的下端;电位探针,检测点、热电偶分别与采集模块相连;参考电阻与转换开关串接,并与检测点相连;恒流源与转换开关相连;转换开关与数据采集模块相连;采集模块与计算机相连,采集的数据通过虚拟仪器软件处理获得检测结果。测试台分为上下两部分,上部分固定测试组件,下部分支撑样品,并有螺杆向上抬升样品,实现样品与各检测点的接触。该装置可以同时进行测定塞贝克系数和电阻率但不破坏薄膜,并且测试过程简单,装置和测试成本较低。 | ||
搜索关键词: | 一种 测量 半导体 薄膜 材料 贝克 系数 电阻率 装置 | ||
【主权项】:
1.一种测量半导体薄膜材料室温下塞贝克系数和电阻率的装置,其特征在于:冷、热端导热铜块(3、3′)夹持并固定热电堆,其下部形成空腔,一对电位探针(6、6′)通过一对弹簧(4、4′)固定在该空腔内,二个电势检测点(10、10′)和冷、热端热电偶(8、8′)分别安置在冷、热端导热铜块(3、3′)的下部,位置接近冷、热端导热铜块(3、3′)与被测薄膜接触的端面;上述各部件均固定于测试台支架(16)的上部,测试台支架(16)的底板中部开有螺纹孔,螺纹孔向上延伸形成通孔,螺杆(23)安置在所述螺纹孔内,“T”型支撑台(20)的下端处于通孔内部,并设有限位块(21);电位探针(6、6′),二个电势检测点(10、10′),冷、热端热电偶(8、8′)分别通过导线与采集模块(13)相连;参考电阻(9)与转换开关(12)串接,并与二个电势检测点(10、10′)相连;恒流源(11)与转换开关(12)相连;转换开关(12)与数据采集模块(13)相连;采集模块(13)与计算机(14)相连。
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