[发明专利]控制单元有效
| 申请号： | 200810090069.2 | 申请日： | 2008-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101281819A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 管野正喜 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01G7/06 | 分类号： | H01G7/06;G05F1/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 党建华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种控制单元包括：用于待控制的信号的输入端子和输出端子，用于控制信号的控制输入端子和控制输出端子，连接在所述输入端子和所述控制输入端子之间、所述输入端子和所述控制输出端子之间、所述控制输入端子和所述输出端子之间，以及所述控制输出端子和所述输出端子之间的桥式结构的可变电容器，通过所述控制信号来改变其电容，以及差动信号控制的电源，其中，在一对信号具有相同绝对值并且极性相反的差动模式下，在所述控制输入端子和所述控制输出端子之间施加所述控制信号。通过所述控制信号改变所述桥式结构的可变电容器的电容来控制所述待控制的信号的电压或电流。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 单元 | ||
【主权项】：
1.一种控制单元，包括：用于待控制的信号的输入端子和输出端子；用于控制信号的控制输入端子和控制输出端子；连接在所述输入端子和所述控制输入端子之间、所述输入端子和所述控制输出端子之间、所述控制输入端子和所述输出端子之间，以及所述控制输出端子和所述输出端子之间的桥式结构的可变电容器，其电容通过所述控制信号来改变；以及差动信号控制的电源，其中，在一对信号具有相同绝对值并且极性相反的差动模式下，在所述控制输入端子和所述控制输出端子之间施加所述控制信号，其中，通过所述控制信号改变所述桥式结构的可变电容器的电容来控制所述待控制的信号的电压或电流。
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- 一种应用于能量收集器件的无铅压电陶瓷材料及制备方法，属于压电陶瓷材料领域。将Nb2O5与KOH混合煅烧后溶于去离子水，用硝酸滴定所得白色沉淀溶于草酸得到可溶性铌；用氨水滴定pH＝10～11，获得白色沉淀；溶解于柠檬酸得溶液A；K2CO3、Na2CO3、Li2CO3溶于水形成溶液B,再把Mn(CH3COO)2溶解于溶液B中；将溶液A与B混合加热得溶胶，经干燥、热处理后得到粉体。将粉体造粒成型后，950～1050℃烧结成陶瓷体。本发明方法简单、能耗低；所制备无铅压电陶瓷材料具有较高机电转换系数，满足能量收集器件要求。
- 一种提高PZT铁电薄膜负电容的方法-201610110669.5
- 肖永光;王江;马东波;唐明华 - 湘潭大学
- 2016-02-29 - 2017-12-08 - H01G7/06
- 本发明公开了一种提高PZT铁电薄膜负电容的方法。本发明包括以下步骤①前驱体溶液的配置配置不同锆钛比的Pb(Zr1‑xTix) O3溶液；②用溶胶‑凝胶法制得PZT铁电薄膜电容器；③对PZT铁电薄膜电容器进行电学性能分析。本发明通过分析锆钛比对PZT铁电薄膜电容器电学性能的影响，得到提高PZT铁电薄膜负电容的最佳比率。本发明提出了一种提高PZT铁电薄膜负电容的有效方法，对低电压、低功耗MOS结构场效应晶体管的设计具有非常重要的指导意义。
- 可变电容元件-201680011952.0
- 景山惠介 - 株式会社村田制作所
- 2016-02-24 - 2017-11-28 - H01G7/06
- 本发明提供一种可变电容元件，其特征在于，构成为具有可变电容层，由电介质材料构成；电极，用于在可变电容层获得静电电容；一对绝缘部，位置隔着可变电容层对置；以及从电极引出的引出部，绝缘部由至少包含Sr、进而还可以包含Ti和/或Zr的绝缘材料构成。
- 专利分类
