[发明专利]一种控制CTP系统曝光成像质量的自动调焦装置无效
| 申请号： | 200810120800.1 | 申请日： | 2008-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101364054A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 李九生;李向军;唐晖 | 申请（专利权）人： | 中国计量学院 |
| 主分类号： | G03F7/207 | 分类号： | G03F7/207;G03F7/20 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310018浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种控制CTP系统曝光成像质量的自动调焦装置。它包括PSD探测器、格兰-泰勒棱镜、四分之一波长波片、介质反射镜、聚焦透镜、音圈马达、贴有印版的滚筒，介质反射镜对进行曝光工作激光反射，对进行聚焦探测激光透射，探测激光经格兰-泰勒棱镜、四分之一波长波片、介质反射镜照射到贴有印版的滚筒上，音圈马达上设有聚焦透镜，格兰-泰勒棱镜上反射光反射到PSD探测器上。本发明的控制CTP系统曝光成像质量的自动调焦装置可以使计算机直接制版的外鼓式热敏版设备自动适应不同型号、不同厚度的印版，并且对由于环境温度变化而导致印版热胀冷缩产生的焦距误差进行自动补偿，以保证不同印版、不同环境及不同机器曝光成像精确一致。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 ctp 系统 曝光 成像 质量 自动 调焦 装置 | ||
【主权项】：
1.一种控制CTP系统曝光成像质量的自动调焦装置，其特征在于包括PSD探测器(1)、格兰—泰勒棱镜(2)、四分之一波长波片(3)、介质反射镜(4)、聚焦透镜(5)、音圈马达(6)、贴有印版的滚筒(7)，介质反射镜(4)对进行曝光工作激光反射，对进行聚焦探测激光透射，探测激光经格兰—泰勒棱镜(2、四分之一波长波片(3)、介质反射镜(4)照射到贴有印版的滚筒(7)上，音圈马达(6)上设有聚焦透镜(5)，格兰—泰勒棱镜(2)上反射光反射到PSD探测器(1)上。
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- 吴俊;焦朋;方兴;李文静;李显杰;刘文海 - 合肥芯硕半导体有限公司
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- 本发明公开了一种光刻机共轴对焦装置，包括有激光位移传感器、CCD相机、曝光基底，激光位移传感器的激光出射口外设有一个分光棱镜，分光棱镜的反射光路上设有位于精密移动平台上的曝光基底，分光棱镜与曝光基底之间设有物镜，分光棱镜的折射光路上设有CCD相机，分光棱镜与CCD相机之间设有聚焦透镜；激光位移传感器发出的激光经过分光棱镜、物镜照射到精密移动平台上的曝光基底后反射，再经过物镜、分光棱镜以及聚焦透镜，聚焦在CCD相机上。本发明通过激光位移传感器实时监测曝光基底的不平整性，从而控制精密移动平台竖直方向的运动，确保曝光基底处于物镜的焦面位置，从而实现对焦功能。本发明的对焦方法能够保证对焦的准确性，而且对焦速度快。
- 一种光刻机气动自动对焦装置及对焦方法-201110130785.0
- 朱亮 - 合肥芯硕半导体有限公司
- 2011-05-20 - 2011-11-02 - G03F7/207
- 本发明公开了一种光刻机气动自动对焦装置及对焦方法，通过气动测量技术测量气测头到曝光基底的距离，从而控制移动平台竖直运动，确保基底处于物镜的焦面位置，从而实现聚焦功能。通过采用气动测量技术的气动自动对焦系统能够保证聚焦的实时性和降低成本。
- 一种纳光子直写头精密旋转定位调焦系统-201110038321.7
- 邢卉;罗先刚;王长涛;冯沁;刘尧;赖之安;杨欢 - 中国科学院光电技术研究所
- 2011-02-14 - 2011-05-25 - G03F7/207
- 一种纳光子直写头精密旋转定位调焦系统，属于直写光刻设备领域，(1)直写头调节装置可以进行纳米级Z向移动；(2)直写头调节装置可以进行0～90°转动；(3)基片台可以进行高速转动；(4)直写头悬臂具有一定弹性变形量；(5)直写头采用空气动力学原理设计结构，可以在基片台转动产生的气流作用下浮起基片表面。基片台高速转动时产生的气流可以实现直写头浮起基片表面几十纳米范围，保证光刻时两者距离处于近场倏逝波作用范围，突破衍射极限限制，实现高分辨力的光刻结果。
- 动态调整光刻成像设备中的聚焦透镜焦深的方法-200910197949.4
- 刘艳松 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 2009-10-30 - 2011-05-11 - G03F7/207
- 本发明公开了一种动态调整光刻成像设备中的聚焦透镜焦深的方法，包括下列步骤：(a)选取晶片中的任一成像块，测量该成像块的表面距离聚焦透镜中心的距离d；(b)判断所述距离d是否满足f-|DOF|≤d≤f+|DOF|，其中f是聚焦透镜的焦距，f＞0，DOF是聚焦透镜的焦深；(c)若满足，则进入步骤(d)；若判断出d＜f-|DOF|，则驱动所述驱动机构使晶片沿着与晶片表面垂直的方向，向远离聚焦透镜的方向移动，直到d≥f-|DOF|，进入步骤(d)；若判断出d＞f+|DOF|，则驱动所述驱动机构使晶片沿着与晶片表面垂直的方向，向靠近聚焦透镜的方向移动，直到d≤f+|DOF|，进入步骤(d)；(d)对所述成像块进行曝光成像，返回步骤(a)。
- 监测曝光机聚焦的方法-200910198488.2
- 安辉 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 2009-11-05 - 2011-05-11 - G03F7/207
- 本发明公开了一种监测曝光机聚焦的方法，包括：对半导体晶圆进行预处理、打底胶，并形成光刻胶膜；利用固定的曝光能量和渐变的曝光机焦平面偏移值对光刻胶膜进行曝光，然后后烘并显影，形成图案；测量所形成的图案的关键尺寸，得到关键尺寸与曝光机焦平面偏移值之间的对应关系；计算得到曝光机的第一最佳焦平面；重复以上步骤，得到曝光机的第二最佳焦平面；如果第二最佳焦平面不同于第一最佳焦平面，则确定曝光机的聚焦发生偏移。该方案只需占用曝光机几分钟的时间对半导体晶圆进行曝光，减少了曝光机聚焦监测所需的时间。
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