[发明专利]可重新配置的磁逻辑电路结构及用于制造和操作这种逻辑设备的方法有效
| 申请号： | 200880107146.9 | 申请日： | 2008-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101803192A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | V·赫因卡;D·迈纳斯;G·赖斯;J·施马尔霍斯特;A·埃伦斯曼 | 申请（专利权）人： | 比勒费尔德大学;卡塞尔大学 |
| 主分类号： | H03K19/168 | 分类号： | H03K19/168;H03K19/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 赵冰 |
| 地址： | 德国比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可重新配置的磁逻辑结构，具有至少两个分别由至少两个磁层组成的磁阻单元，磁层分别由一个中间层相互分隔，其中一个磁层作为参考层，在外磁场作用下它的磁化基本不变；另一个磁层作为自由层，其磁化在外磁场作用下明显变化，磁阻单元还包含至少一个用于信号端子的导体，利用所述导体可在流过电流的状态下产生切换自由层磁化的第一磁场，磁阻单元还包含一个用于根据需要产生可变的第二磁场，该磁场也作用于磁阻单元。在此，两个这样的磁阻单元相邻排列，并且两个参考层的磁化通过事先设置的单向各向异性而相反指向，这些磁阻单元相互连接，使得通过第一磁场和第二磁场对磁阻单元的作用，基于所产生的自由层磁化方向的改变和由此导致的逻辑电路结构上磁阻单元电阻的改变可得到所有基本逻辑功能、尤其是AND，OR，NAND，NOR，XOR或XNOR功能的开关行为。 | ||
| 搜索关键词： | 重新 配置 逻辑电路 结构 用于 制造 操作 这种 逻辑 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种可重新配置的磁逻辑电路结构，具有至少两个分别由至少两个磁层组成的磁阻单元，磁层分别由一个中间层相互分隔，其中一个磁层作为参考层，在外磁场作用下它的磁化基本不变；另一个磁层作为自由层，其磁化在外磁场作用下明显变化，磁阻单元还包含至少一个导体，用于至少两个信号端子，利用所述导体能够在流过电流的状态下产生作用于磁阻单元上和切换自由层的磁化的第一磁场；磁阻单元还包含一个用于根据需要产生第二可变磁场的装置，此磁场也作用于磁阻单元；其特征在于，两个这样的磁阻单元相邻排列，其中两个参考层的磁化通过事先设置的单向各向异性而相反指向，这些磁阻单元相互连接，使得通过第一和第二磁场对磁阻单元的作用，基于所产生的自由层磁化方向的改变和由此导致的逻辑电路结构上磁阻单元电阻的改变能得到所有基本逻辑功能、尤其是AND，OR，NAND，NOR，XOR或XNOR功能的开关行为。
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- 可重新配置的磁逻辑电路结构及用于制造和操作这种逻辑设备的方法-200880107146.9
- V·赫因卡;D·迈纳斯;G·赖斯;J·施马尔霍斯特;A·埃伦斯曼 - 比勒费尔德大学;卡塞尔大学
- 2008-07-20 - 2010-08-11 - H03K19/168
- 本发明涉及一种可重新配置的磁逻辑结构，具有至少两个分别由至少两个磁层组成的磁阻单元，磁层分别由一个中间层相互分隔，其中一个磁层作为参考层，在外磁场作用下它的磁化基本不变；另一个磁层作为自由层，其磁化在外磁场作用下明显变化，磁阻单元还包含至少一个用于信号端子的导体，利用所述导体可在流过电流的状态下产生切换自由层磁化的第一磁场，磁阻单元还包含一个用于根据需要产生可变的第二磁场，该磁场也作用于磁阻单元。在此，两个这样的磁阻单元相邻排列，并且两个参考层的磁化通过事先设置的单向各向异性而相反指向，这些磁阻单元相互连接，使得通过第一磁场和第二磁场对磁阻单元的作用，基于所产生的自由层磁化方向的改变和由此导致的逻辑电路结构上磁阻单元电阻的改变可得到所有基本逻辑功能、尤其是AND，OR，NAND，NOR，XOR或XNOR功能的开关行为。
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