[发明专利]多铁性存储介质无效
| 申请号： | 200910128352.4 | 申请日： | 2009-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101794601A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | F·扎瓦利彻;赵彤;P·G·皮彻;M·A·西格勒 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B9/02 | 分类号： | G11B9/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种数据存储介质包括多铁性薄膜和在该多铁性薄膜中形成的铁磁存储畴。多铁性薄膜可由BiFeO3、或任意其它铁电和反铁磁材料中的至少一种构成。铁磁存储畴可通过离子注入工艺在多铁性薄膜中形成。还提供了一种包括该数据存储介质的数据存储系统。 | ||
| 搜索关键词： | 多铁性 存储 介质 | ||
【主权项】：
一种数据存储介质，包括：多铁性薄膜；以及在所述多铁性薄膜中形成的铁磁存储畴。
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