[发明专利]锂离子二次电池用隔离物以及锂离子二次电池有效
申请号: | 200910221902.7 | 申请日: | 2009-11-19 |
公开(公告)号: | CN101740744A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 直井克夫;西泽建治;向后美津雄;大桥良彦;伊藤秀毅 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01M2/16 | 分类号: | H01M2/16;H01M10/0525 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种锂离子二次电池用隔离物,具有以第2高分子层(44)、第1高分子层(42)、第2高分子层(44)的顺序将其层叠而成的多孔结构,第2高分子层(44)的熔点低于第1高分子层(42)的熔点,第2高分子层(44)具有被形成于与第1高分子层(42)相接触的一侧的高分子部位(44a)、以及被形成于与高分子部位(44a)相比远离第1高分子层(42)的一侧的低分子部位(44b),高分子部位(44a)和低分子部位(44b)的重量平均分子量的比,即高分子部位(44a)/低分子部位(44b)为4~19。 | ||
搜索关键词: | 锂离子 二次 电池 隔离 以及 | ||
【主权项】:
一种锂离子二次电池用隔离物,其特征在于,具有以第2高分子层、第1高分子层、第2高分子层的顺序将其层叠而成的多孔结构,所述第2高分子层的熔点低于所述第1高分子层的熔点,所述第2高分子层具有被形成于与所述第1高分子层相接触的一侧的高分子部位、以及被形成于与该高分子部位相比远离所述第1高分子层的一侧的低分子部位,所述高分子部位和所述低分子部位的重量平均分子量的比,即高分子部位/低分子部位为4~19。
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