[发明专利]以并联LC作负载的电流注入式射频CMOS正交上混频器无效
申请号: | 201010562433.8 | 申请日: | 2010-11-25 |
公开(公告)号: | CN102035475A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 徐倩龙;蒋颖丹;胡骁;朱彤;黄龙;谢淼;袁圣越;李征;蔡语昕;张润曦;赖宗声 | 申请(专利权)人: | 华东师范大学 |
主分类号: | H03D7/06 | 分类号: | H03D7/06 |
代理公司: | 上海蓝迪专利事务所 31215 | 代理人: | 徐筱梅;张翔 |
地址: | 200241 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种以并联LC作负载的电流注入式射频CMOS正交上混频器,该混频器是在传统的双平衡吉尔伯特混频器的基础上,采用电流注入方式,在跨导级的漏极或者说是开关管源极处连接由P型MOS管构成的电流源,用来抽取跨导级提供给开关管的电流,增加射频的偏置电流,可增加电路的线性度和增益,减轻电压裕度引起的问题。PMOS管进行电流注入,流经本振晶体管的电流减少,输出的平均噪声电流减少,混频器的闪烁噪声减少。采用并联高品质因子的电感和电容作负载,使得能够在较低电源电压下实现上混频功能。本发明提高了线性度,增大了转换增益,减小了噪声。 | ||
搜索关键词: | 并联 lc 负载 电流 注入 射频 cmos 交上 混频器 | ||
【主权项】:
一种以并联LC作负载的电流注入式射频CMOS正交上混频器,该混频器的结构含电源正端(VDD)、电源负端(GND)、第一偏置电压输入端口(VBias1)、第二偏置电压输入端口(VBias2)、第三偏置电压输入端口(VBias3)、第四偏置电压输入端口(VBias4)、零相位本地振荡信号输入端口(VLO0)、90度相位本地振荡信号输入端口(VLO90)、180度相位本地振荡信号输入端口(VLO180)、270度相位本地振荡信号输入端口(VLO270)、I支路差分正相基带信号输入端口(VIN0)、I支路差分负相基带信号输入端口(VIN180)、Q支路差分正相基带信号输入端口(VIN90)、Q支路差分负相基带信号输入端口(VIN270)、两个差分输出端口(OUT1)及(OUT2),该混频器还包含有第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)、第五MOS管(M5)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、第四电容(C4)、第一电感(L1)、第二电感(L2)、I支路(I‑Branch)和Q支路(Q‑Branch),其中I支路和Q支路的结构完全相同且对称设置,各支路含有第一本地振荡信号输入端口(VLOA)、第二本地振荡信号输入端口(VLOB)、差分正相基带信号输入端口(VINA)、差分负相基带信号输入端口(VINB)、第一开关级偏置电流输入端口(SWA)、第二开关级偏置电流输入端口(SWB)、第一偏置电压输入端口(VB1)、第二偏置电压输入端口(VB2)、差分正相输出端口(VOUT+)、差分负相输出端口(VOUT‑)及直流偏置电流端(IBIAS);I支路的第一开关级偏置电流输入端口(SWA)接第一MOS管(M1)的漏极,I支路的第二开关级偏置电流输入端口(SWB)接第二MOS管(M2)的漏极,Q支路的第一开关级偏置电流输入端口(SWA)接第三MOS管(M3)的漏极,Q支路的第二开关级偏置电流输入端口(SWB)接第四MOS管(M4)的漏极,第一MOS管(M1)的栅极、第二MOS管(M2)的栅极、第三MOS管(M3)的栅极、第四MOS管(M4)的栅极都接第三偏置电压输入端口(VBias3);第一MOS管(M1)的源极、第二MOS管(M2)的源极、第三MOS管(M3)的源极及第四MOS管(M4)的源极都接电源正端(VDD);第一电容(C1)的一端、第三电容(C3)的一端和第一电感(L1)的一端连接I支路的VOUT+端,I支路的VOUT+端和Q支路的VOUT+端相连;第一电容(C1)的另一端和第一电感(L1)的另一端接电源正端(VDD),第三电容(C3)的另一端接差分输出端口(OUT1);第二电容(C2)的一端、第四电容(C4)的一端和第二电感(L2)的一端连接Q支路的VOUT‑端,I支路的VOUT‑端和Q支路的VOUT‑端相连,第二电容(C2)的另一端和第二电感(L2)的另一端接电源正端(VDD),第四电容(C4)的另一端接差分输出端口(OUT2);I支路的VB1端和Q支路的VB1端接第一偏置电压输入端口(VBias1);I支路的VB2端和Q支路的VB2端接第二偏置电压输入端口(VBias2);I支路的VLOA端连接零相位本地振荡信号输入端口(VLO0),VLOB端连接180度相位本地振荡信号输入端口(VLO180);Q支路的VLOA端连接90度相位本地振荡信号输入端口(VLO90),VLOB端连接270度相位本地振荡信号输入端口(VLO270);I支路的VINA端连接零相位基带信号输入端口(VIN0),I支路的VINB端连接180度相位基带信号输入端口(VIN180);Q支路的VINA端连接90度相位基带信号输入端口(VIN90),Q支路的VINB端连接270度相位基带信号输入端口(VIN270);I支路的直流偏置电流端(IBIAS)和Q支路的直流偏置电流端(IBIAS)相连、接第五MOS管(M5)的漏极,第五MOS管(M5)的栅极接第四偏置电压输入端口(VBias4),源极接电源负端(GND);I支路包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电容(C5)、第六电容(C6)、第七电容(C7)、第八电容(C8)、第六MOS管(M6)、第七MOS管(M7)、第八MOS管(M8)、第九MOS管(M9)、第十MOS管(M10)及第十一MOS管(M11);具体连接方式为:第七MOS管(M7)的源极和第八MOS管(M8)的源极分别连接到第一开关级偏置电流输入端口(SWA)和第二开关级偏置电流输入端口(SWB);第一电阻(R1)的一端和第五电容(C5)的一端相接、连接第七MOS管(M7)的栅极和第八MOS管(M8)的栅极;第五电容(C5)的另一端接第一本地振荡信号输入端口(VLOA),第一电阻(R1)的另一端接第一偏置电压输入端口(VB1);第六MOS管(M6)的源极和第九MOS管(M9)的源极分别连接到第一开关级偏置电流输入端口(SWA)和第二开关级偏置电流输入端口(SWB);第二电阻(R2)的一端和第六电容(C6)的一端相接、连接第六MOS管(M6)的栅极和第九MOS管(M9)的栅极;第六电容(C6)的另一端接第二本地振荡信号输入端口(VLOB),第二电阻(R2)的另一端接第一偏置电压输入端口(VB1);第六MOS管(M6)的漏极和第八MOS管(M8)的漏极相连、接到差分正相输出端口(VOUT+);第七MOS管(M7)的漏极和第九MOS管(M9)的漏极相连、接到差分负相输出端口(VOUT‑);第十MOS管(M10)的漏极连接到第一开关级偏置电流输入端口(SWA);第三电阻(R3)的一端和第七电容(C7)的一端相接、连接到第十MOS管(M10)的栅极;第七电容(C7)的另一端接差分正相基带信号输入端口(VINA),第三电阻(R3)的另一端接第二偏置电压输入端口(VB2);第十MOS管(M10)的源极连接到直流偏置电流端(IBIAS);第十一MOS管(M11)的漏极连接到第二开关级偏置电流输入端口(SWB);第四电阻(R4)的一端和第七电容(C8)的一端相接、连接到第十一MOS管(M11)的栅极;第八电容(C8)的另一端接差分负相基带信号输入端口(VINB),第三电阻(R3)的另一端接第二偏置电压输入端口(VB2);第十一MOS管(M11)的源极连接到直流偏置电流端(IBIAS)。
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