[发明专利]使用双技术晶体管的低泄漏高性能静态随机存取存储器单元无效
| 申请号： | 201080004268.2 | 申请日： | 2010-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102272843A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 马尼什·加尔吉;柴家明;迈克尔·泰坦·潘 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/08 | 分类号： | G11C8/08;G11C11/408;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器单元，其包括存储元件、耦合到所述存储元件的写入电路及耦合到所述存储元件的读取电路。所述存储元件的至少一部分及所述写入电路的至少一部分是使用较厚功能性栅极氧化物制造的，且所述读取电路的至少一部分是使用较薄功能性栅极氧化物制造的。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 技术 晶体管 泄漏 性能 静态 随机存取存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种存储器单元，其包含：存储元件；写入电路，其耦合到所述存储元件；以及读取电路，其耦合到所述存储元件；其中所述存储元件的至少一部分及所述写入电路的至少一部分是使用较厚功能性栅极氧化物制造的，且所述读取电路的至少一部分是使用较薄功能性栅极氧化物制造的。
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