[发明专利]多维微结构的制造技术在审
| 申请号： | 201080031923.3 | 申请日： | 2010-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102483930A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | H·斯坦德尼邱克;A·哈伯麦斯 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/17 | 分类号： | G11B5/17;H01F17/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 姬利永 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于形成诸如(但不限于)在数据存储设备的数据换能器中所使用的三维(3D)微结构线圈之类的多维微结构的方法。根据一些实施例，该方法一般包括：设置基区，该基区包括包埋于第一介电材料中的第一导电路径；在第一介电材料中蚀刻多个通孔区，每个通孔区部分地填充有与所包埋的第一导电路径相接触的第一籽层；以及使用第一籽层在多个通孔区的每一个中形成导电柱，其中每个导电柱包括在基区上方延伸至第一距离的基本上垂直的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 多维 微结构 制造 技术 | ||
【主权项】：
一种用于形成多维微结构的方法，包括：设置基区，所述基区具有包埋于第一介电材料中的第一导电路径；在所述第一介电材料中蚀刻多个通孔区，每个所述通孔区由与所述第一导电路径相接触的第一籽层部分地填充；以及使用所述第一籽层在所述多个通孔区的每一个中形成导电垂直结构，其中每个导电垂直结构包括延伸到所述基区上方第一距离的基本上垂直的侧壁。
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