[发明专利]低插损铁氧体微波器件及其铁氧体加工方法在审
申请号: | 201110407710.2 | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN102569964A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 黄宁;朱洁文 | 申请(专利权)人: | 捷考奥电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01P1/36 | 分类号: | H01P1/36;H01P1/38;H01P11/00 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 俞宗耀 |
地址: | 201108 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种低插损铁氧体微波器件及其铁氧体加工方法,属微波器件技术领域,所解决的技术问题是降低插损。该低插损铁氧体微波器件,包括铁氧体器件本体,其特征在于:所述铁氧体器件本体的一个侧面上涂有一层金属银涂层。其加工方法为:1)将铁氧体待涂银层的侧面朝向上方,用丝网平贴所述铁氧体表面;2)将由银粉和环氧树脂组成的含银浆料涂覆在所述铁氧体表面上,构成均匀的厚度为0.002±0.0005mm金属银涂层;3)150℃焙烘0.5~1小时后,再高温烧结使金属银涂层固化。将银浆在铁氧体表面薄薄涂覆一层,能将插损降至0.2dB以下,其远低于现有铁氧体微波器件。 | ||
搜索关键词: | 低插损 铁氧体 微波 器件 及其 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种低插损铁氧体微波器件,包括铁氧体器件本体,其特征在于:所述铁氧体器件本体的一个侧面上涂有一层金属银涂层。
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